1.一种半导体装置，包括：
晶体管，包括：
栅电极；
所述栅电极上的第一绝缘膜；
所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；
与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；
与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极；
所述晶体管上的第二绝缘膜；以及
所述第二绝缘膜上的保护膜，
其中，所述第二绝缘膜包含氧，
并且，所述保护膜包含所述氧化物半导体膜中的金属元素中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述晶体管还包括：
所述氧化物半导体膜与所述源电极之间以及所述氧化物半导体膜与所述漏电极之间的第三绝缘膜，所述第三绝缘膜包含氧。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二绝缘膜具有不平的表面。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述保护膜覆盖所述第二绝缘膜的所述不平的表面。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述保护膜的厚度为3nm以上且30nm以下。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜包含In、Zn及M(M为Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf)。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述氧化物半导体膜包含结晶部，
并且，所述结晶部具有c轴取向性。
8.一种显示装置，包括：
权利要求1所述的半导体装置；以及
显示元件。
9.一种显示模块，包括：
权利要求8所述的显示装置；以及
触摸传感器。
10.一种电子设备，包括：
权利要求9所述的显示模块；以及
操作键或电池。
11.一种半导体装置，包括：
晶体管，包括：
第一栅电极；
所述第一栅电极上的第一绝缘膜；
所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；
与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；
与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极；
所述氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极上的第二绝缘膜；
所述第二绝缘膜上的保护膜；
所述保护膜上的第三绝缘膜；以及
所述第三绝缘膜上的第二栅电极，
其中，所述第二绝缘膜包含氧，
并且，所述保护膜包含所述氧化物半导体膜中的金属元素中的至少一种。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第二绝缘膜具有不平的表面。
13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述保护膜覆盖所述第二绝缘膜的所述不平的表面。
14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述保护膜的厚度为3nm以上且30nm以下。
15.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜包含In、Zn及M(M为Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf)。
16.根据权利要求11所述的半导体装置，
其中，所述氧化物半导体膜包含结晶部，
并且，所述结晶部具有c轴取向性。
17.一种显示装置，包括：
权利要求11所述的半导体装置；以及
显示元件。
18.一种显示模块，包括：
权利要求17所述的显示装置；以及
触摸传感器。
19.一种电子设备，包括：
权利要求18所述的显示模块；以及
操作键或电池。