技术总结
本发明的一个方式的目的之一是在使用包含氧化物半导体的晶体管的半导体装置中抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，该晶体管包括：栅电极；栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜电连接的源电极；以及与氧化物半导体膜电连接的漏电极，在晶体管上设置有第二绝缘膜，在第二绝缘膜上设置有保护膜，第二绝缘膜包含氧，且保护膜包含用于氧化物半导体膜的金属元素中的至少一个。
技术研发人员：肥塚纯一;神长正美;黑崎大辅
受保护的技术使用者：株式会社半导体能源研究所
文档号码：201580020352
技术研发日：2015.04.08
技术公布日：2016.12.21