用于改善柔性纳米结构的干燥的方法和系统与流程

本申请要求2014年5月12日提交的美国临时申请No.61/992074的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

背景技术：

纳米结构通常以现代微加工工艺制造。例如，在半导体加工期间，使用方法如蚀刻和激光刻划在小片基底材料如硅中密集地创建纳米结构。在基底上形成纳米结构之后，需要除去残留化学物质和/或细颗粒或碎片以呈现这样的纳米结构的特征。这通常通过清洗和干燥步骤实现。纳米结构如高纵横比的纳米结构在清洗和干燥期间易于损坏。

在半导体加工情况下，在单晶片加工工具中干燥图案化表面的典型方法为用水漂洗并旋转干燥。由于结点收缩并且图案纵横比变得更高，基底材料的刚度可能不再耐受润湿结构的毛细管和拉普拉斯(Laplace)坍塌力，并且图案可能弯曲并最终坍塌到其相邻图案上。

克服这种坍塌倾向的一种方法可为，在干燥之前通过使用替代的清洗或漂洗溶剂如异丙醇(IPA)来使用表面张力较低的液体置换水。然而，IPA可能不再足以防止纵横比(AR)高的半导体结构(例如，在硅晶体的情况下约13和以上的那些)坍塌。还可使用结构的表面改性来增大润湿性流体的接触角，如使用自组装单层或含硅表面的甲硅烷基化化学品，但是由于与旋涂在晶片上的甲硅烷基化化学品液体的体积结合的甲硅烷基化化学品供应成本，这些方法成本较高。干燥工艺的工序比较示于图1A和图1B中。

在图1A中，基底表面的清洁可包括用漂洗剂如水漂洗。在步骤110处，在基底上以图案化层创建小型结构之后，可将基底表面打湿从而开始清洁。在步骤120，可将漂洗剂施用至基底表面。在半导体工业中最常使用的漂洗剂是水。水置换可能在基底上的来自之前的加工步骤的化学物质。水漂洗之后，基底表面上的图案化层中的小型结构可部分地或完全地浸入水中。

在进一步加工之前可发生水的干燥消失(dry off)。水比一些有机溶剂蒸发得更慢。可使用替代的溶剂如异丙醇(IPA)置换表面的水，如步骤130中所示。

在漂洗步骤期间及之后，可对基底进行旋转干燥步骤1000。此时，可将基底放置在旋转平台上。当平台旋转时，漂洗剂可从图案化层中小型结构之间的空间脱离并得到负载有洁净小型结构的干燥基底。在一些实施方案中，可在干燥步骤中应用气流以将液体漂洗剂推离基底表面同时还增加液体的蒸发。

或者，溶剂置换可与基底表面的甲硅烷基化处理组合以进一步防止或减小对图案化层中小型结构的损害。示例性的基于甲硅烷基化的清洗及干燥过程示于图1B中。基于甲硅烷基化的清洗及干燥过程具有几个与常规溶剂置换清洗/干燥过程相同的工艺步骤(例如，步骤110、120和130)。

图1A和图1B中工艺之间的差别在于，后者包括甲硅烷基化步骤。甲硅烷基化通常指将甲硅烷基(例如，R₃Si，其中R代表取代基)引入至分子的过程。此时，当甲硅烷基附着在基底表面时，可实现甲硅烷基化。

起始于步骤140，在IPA漂洗之后，可用甲硅烷基化液体对基底进行进一步漂洗从而通过甲硅烷基化反应使基底表面改性。在甲硅烷基化漂洗140之后可为IPA漂洗150、水漂洗160和旋转干燥步骤1000。

当使用IPA-最后干燥工艺时，一些水可能仍然保留在结构之间(可能是由于在IPA漂洗期间未彻底除去保留在结构底部的水)，而这些水可能导致结构坍塌。

通过在常规溶剂置换中的甲硅烷基化或者甲硅烷基化工艺(例如，图1B中所示于的)的表面改性进一步示于图4A中。图案化层(例如，元件400)可包含多个小型结构410。为了简化说明，将元件410示出为形状和大小相同的结构。应理解的是，图案化层还可包含形状和大小不同的小型结构410。

在将基底表面打湿之后，漂洗剂430可被截留在小型结构410之间的空间中。对于未经甲硅烷基化的图案化层来说，小型结构410可具有未经改性的表面420，所述未经改性的表面420与漂洗剂430可形成低接触角。低接触角可对应于高表面张力以及较大的毛细管和拉普拉斯坍塌力，并且可导致小型结构410坍塌。

在甲硅烷基化期间，单个小型结构410的表面可转化为经改性的表面440。在常规的甲硅烷基化工艺中，甲硅烷基化可通过将小型结构410浸到液体甲硅烷基化剂中(未示出)来实现。特别地，可施用液体甲硅烷基化剂以填充小型结构410之间的空间。如此，小型结构410的任意液体可到达表面可被改性。

由甲硅烷基化增强的疏水性可改变基底的表面性质。特别地，其可使漂洗剂430与经改性的表面440形成高接触角。高接触角可对应于较小的毛细管和拉普拉斯坍塌力，这使得能够更好地保存小型结构410，即使在这样的结构具有高纵横比时也是如此。例如，未经处理的基底表面的接触角可远小于90度，这对应于大毛细管力。相比之下，用水润湿的甲硅烷基化的表面可根据反应条件(如温度、环境湿度等)达到大于90度，高至110度至120度或者甚至更高的接触角。在一些实施方案中，减小毛细管力的最佳接触角可为90度，例如，在23℃至25℃的标准加工温度下，这可通过旋转施涂化学试剂来实现而没有另外的反应增强。

在干燥硬件的多个实施方案中，扫描分配臂可基本上在晶片的中心处施用IPA预定的时间以置换晶片表面上的水。在中心处分配之后，所述臂可随后朝向晶片的边缘扫描同时分配IPA。在一些实施方案中，从水漂洗过渡到IPA漂洗可以是“分阶段的”，其通过向已分配的水添加IPA，然后逐步增加IPA的浓度直到没有已分配的水为止，仅在此后开始IPA分配臂的移动。同时，仅在IPA分配臂稍稍地从晶片中心移开之后，第二分配臂可移动至晶片的中心并开始以窄射流分配氮气(N₂)以便快速地干燥(dry out)晶片的中心。然后N₂分配臂可以以与IPA臂扫描速率可相等或不同的速率(速度)朝向晶片的边缘扫描(沿与IPA分配臂相同或相反的方向)，同时分配N₂使得N₂帮助维持IPA弯液面免于破裂。N₂臂可具有在相对于晶片表面的垂直方向上或者相对于晶片表面以一些其他固定或可变角度(例如45度)构造的分配喷嘴，以便增加液体上的剪切力并最大化IPA的干燥速率，同时仍维持良好的弯液面形状(见图5A和5B)。通过控制器(其也可以控制该工艺的其他参数)，可独立地控制IPA分配臂和N₂分配臂及其以预定方式调节的位置和速度。

图5A和5B示出了设置用于打湿、漂洗并干燥负载有小型结构的基底的标准系统。图5A示出了负载有小型结构(例如，元件400)的图案化层的基底的侧视图。在一些实施方案中，所述基底可为负载有集成电路图案或其他小型结构的半导体晶片。

可将基底设置在沿着轴A-A’旋转的旋转平台500上。可控制平台以预定旋转速度旋转。在一些实施方案中，平台的旋转速率可为50rpm(每分钟转数)至2000rpm。在一些实施方案中，旋转速率可为500rpm至1000rpm。一般地，旋转速率可与纳米结构的大小不相关。在一些实施方案中，旋转速率还可在干燥期间变化。例如，随着分配臂径向朝外移动，旋转速率可减小，减小的旋转速率有助于维持稳定的弯液面。

可将两个分配臂设置在基底上方用于分配液体或气体。例如，分配臂510可分配一种或更多种漂洗剂如水或IPA。漂洗剂可在平台500旋转时分配使得分配的液体(例如，成分430)快速地分布在基底表面上从而浸没小型结构。分配壁520可将氮气流施用至基底表面，从基底中心开始朝向基底的边缘推动液体漂洗剂。

图5B示出了漂洗和干燥步骤期间基底的顶视图。随着基底旋转以及氮气分配臂从基底的中心朝向边缘移动，干燥的面积可从中心向外扩展同时湿润的面积减小并最终消失。

附图说明

本领域的技术人员应理解，以下描述的图仅用于举例说明目的。这些图不旨在以任何方式限制本教导的范围。

图1A示出了本领域已知的一个示例性实施方案。

图1B示出了本领域已知的一个示例性实施方案。

图2示出了一个示例性实施方案。

图3示出了本领域已知的一个示例性实施方案。

图4A示出了本领域已知的一个示例性实施方案。

图4B示出了一个示例性实施方案。

图5A示出了本领域已知的一个示例性实施方案。

图5B示出了本领域已知的一个示例性实施方案。

图6A示出了一个示例性实施方案。

图6B示出了一个示例性实施方案。

图6C示出了一个示例性实施方案。

图6D示出了一个示例性实施方案。

具体实施方式

除非另有说明，否则相关领域的普通技术人员应根据常规用法理解术语。

如本文所使用，术语“甲硅烷基剂”或“甲硅烷基化剂”是指可经历甲硅烷基化反应的任意试剂。这些术语可交换使用。

微加工技术广泛用于现代制造工艺以创造微米、纳米或者甚至更小尺寸的小型结构，使得在基底表面上得到图案化层。从微加工工艺中留下的残余材料可以以表面清洁方法除去，例如，在对基底进行一个或更多个干燥步骤之前，用一种或更多种漂洗剂来清洗基底表面。

在清洁过程期间，可使用不同的漂洗剂。如前所述，典型的单晶片清洁方法可开始于用水漂洗半导体基底上的图案化表面并旋转干燥。基底表面的打湿或漂洗以及随后的干燥对于清洁工艺来说可以是最关键的。

当图案化表面中的结构元件变得更脆时，例如，随着图案化层中小型结构的纵横比增大和结点收缩，大多数标准基底材料的刚度可能不再耐受润湿结构的毛细管和拉普拉斯坍塌力。因此，图案化层中的小型结构可能弯曲并且可能最终坍塌。在一些实施方案中，小型结构的尺寸根据所述结构的功能变化。例如，所述结构可以小到7nm以用于逻辑门，大至500nm或更大以用于金属水平(metal levels)，所述结构全部在同一基底上，但处于不同的层级水平。

根据本方法的一个示例性工艺示于图2中。该工艺开始于步骤110，在步骤110中，在表面上已创建图案化层之后可对基底进行打湿。在一些实施方案中，步骤110可包括用以清洁或蚀刻晶片的一系列工艺步骤中的任一个，例如，标准RCA清洁。

在步骤120，可将第一漂洗剂施用至包含预先形成的图案化层的基底表面。在半导体行业中最常使用的第一漂洗剂是水。例如，水可用于从晶片和图案除去任何残留的活性化学品(如酸、表面活性剂等)。

在水漂洗步骤期间，将晶片表面保持为润湿状态，以便确保在最后的受控干燥过程之前不允许晶片的任何部分干燥。

在步骤210，可对润湿的基底表面进行包括溶剂置换(例如，步骤210-A)和甲硅烷基化(例如，步骤210-B)二者的组合工艺。这可在允许对来自漂洗步骤120的基底和图案化层进行干燥之前发生。在步骤210-A，可将第二漂洗剂(例如，有机溶剂如IPA)施用至已经用第一漂洗剂(例如，水)打湿的基底表面。第二漂洗剂可与第一漂洗剂混溶。施用第二漂洗剂之后，其可容易地进入图案化层中小型结构之间的已被第一漂洗剂占据的空间，并置换至少一些第一漂洗剂。在水和IPA的情况下，图案化层中小型结构之间的空间现在可被水中IPA的溶液占据，所述水中IPA的溶液远比水易于蒸发。

在步骤210-B，可将包含气化的甲硅烷基化剂和氮气的气体流施用至基底表面上的施用了第二漂洗剂的相同位置。在一些实施方案中，气体流可起到多种作用。气体流可促进第一漂洗剂或第二漂洗剂或者两者的混合溶液蒸发。气体流还可物理地朝基底表面的边缘推动任意液体漂洗剂并推出基底表面的边缘以促进干燥。气化的甲硅烷基化剂可与基底表面上的官能团(例如，羟基)反应以获得具有改善的高接触角的甲硅烷基化表面。氮气可为载气以促进液体甲硅烷基化剂气化。氮气自身是非常稳定的气体并且不会妨碍甲硅烷基化反应。

在一些实施方案中，IPA漂洗和甲硅烷基化可几乎同时进行。在一些实施方案中，甲硅烷基化可在IPA漂洗开始不久后进行。

在一些实施方案中，基底表面的打湿(例如，在步骤110和120进行)可分开进行，例如，在不同的位置或不同的时间进行。实际上，组合的熔剂置换与甲硅烷基化步骤可直接施用至已经打湿的基底表面。

氮气流可用于去除液体存储容器中液面之上或之下的甲硅烷基剂的挥发组分蒸气相，例如，如图6A中所示。这可通过以下方法完成：使氮气流动经过部分填充的液体存储容器内部的液面、或在液面之上的一个点处引入氮气；或者可替代地，将氮气引入到存储容器中的液面之下，并使氮气在作为富集有甲硅烷基化剂蒸气的氮气吹扫气体流离开存储容器之前，鼓泡通过液体。甲硅烷基化化学品可包括HMDS、TMSDMA，或者以下所列的类似物质。甲硅烷基化剂可用疏水性有机基团替代晶片材料表面的亲水性末端基团。在漂洗120和漂洗210-A期间，可使基底旋转。

同样地，在一些实施方案中，在组合的步骤210-A与210-B之前，可使用第一漂洗剂、第二漂洗剂或二者实施一个或更多个另外的漂洗步骤。在一些实施方案中，可使用第三漂洗剂。

在组合的漂洗与甲硅烷基化步骤210之后，可使基底经受旋转干燥步骤1000。此时，可将基底放置在旋转平台上。当平台旋转时，漂洗剂可从图案化层中小型结构之间的空间脱离并得到负载有洁净小型结构的干燥基底。在一些实施方案中，可在干燥步骤中施用气体流(例如，氮N₂)以将液体漂洗剂推出基底表面，并且还增强液体的蒸发。

如上所述，甲硅烷基化可改变基底表面的性质使得图案化层中小型结构较不易于被损坏。一个示例性甲硅烷基化反应示于图3。

在反应期间，甲硅烷基化剂可与目标样品上的官能团如羟基反应。在这种情况下，甲硅烷基化剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可与样品的羟基反应形成与样品表面的疏水键(例如，以样品-O-Si-R₃特征序列)。

本文还公开了使用组合的溶剂置换与蒸气甲硅烷基化工艺通过甲硅烷基化进行表面改性的方法(例如，示于图2中的方法)。详细的机理示于图4B中。如上文所述，未经甲硅烷基化的小型结构410可与漂洗剂形成低接触角，并产生最终可能导致小型结构坍塌的毛细管和拉普拉斯力。

在一些实施方案中，用第一清洗剂(例如，图2中步骤120中的水)开始清洗步骤之后，可在单一组合步骤中进行IPA漂洗，用气化的甲硅烷基化剂进行的甲硅烷基化，以及用气化的甲硅烷基化剂和氮气的气体流进行的干燥。在一些实施方案中，可稍稍在甲硅烷基化和干燥之前首先实施IPA漂洗。在一些实施方案中，可同时实施IPA漂洗、甲硅烷基化和干燥。

在组合的溶剂置换与蒸气甲硅烷基化工艺中，可在第二漂洗剂被干燥或推出基底表面以露出小型结构410时进行甲硅烷基化。在施用第二漂洗剂(例如，图2中步骤210-A中的IPA)时的同时或之后，气体分配臂450可分配气化的甲硅烷基化剂和氮的混合物。气体流可加速第二漂洗剂的干燥以露出小型结构410。

一旦露出小型结构，混合气体流中气化的甲硅烷基化剂可对小型结构露出的表面进行改性以使其更加疏水(例如，经改性的表面440)。在第二漂洗剂的水平下降时可进行甲硅烷基化。这样，可维持小型结构与漂洗剂之间的接触角较高，从而维持低表面张力以及较小的毛细管和拉普拉斯坍塌力以避免对小型结构的任何损坏。

在甲硅烷基化改性之后，在所述结构上得到的表面可具有更加疏水的表面能，更高的水-润湿接触角，并因此更低的毛细血管力，允许更高纵横比的结构被润湿并干燥而不坍塌(见图4B)。

示例性的甲硅烷基化剂可包括但不限于：TMSDMA(N-三甲基甲硅烷基二甲胺)、HMDS(六甲基二硅氮烷)，或者用疏水性Si-O-R键替代亲水性Si-OH键的其他类似甲硅烷基化学品，其中R可以为任何有机官能团，但通常为–CH₃甲基(见图2)。此外，除HMDS和TMSDMA之外的甲硅烷基化剂还包括但不限于：烯丙基三甲基硅烷、N,O-双(三甲基甲硅烷基)乙酰胺(BSA)、N,O-双(三甲基甲硅烷基)氨基甲酸酯(BSC)、N,N-双(三甲基甲硅烷基)甲酰胺(BSF)、N,N-双(三甲基甲硅烷基)甲胺、双(三甲基甲硅烷基)硫酸酯(BSS)、N,O-双(三甲基甲硅烷基)三氟乙酰胺(BSTFA)、N,N’-双(三甲基甲硅烷基)脲(BSU)、(乙硫基)三甲基硅烷、三甲基甲硅烷基乙酸乙酯(ETSA)、六甲基二硅烷、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、六甲基二硅硫烷、(异丙烯氧基)三甲基硅烷(IPOTMS)、1-甲氧基-2-甲基-1-三甲基硅氧基丙烯、(甲硫基)三甲基硅烷、3-三甲基硅氧基-2-丁烯酸甲酯、N-甲基-N-三甲基甲硅烷基乙酰胺(MSA)、三甲基甲硅烷基乙酸甲酯、N-甲基-N-三甲基甲硅烷基七氟丁酰胺(MSHFBA)、N-甲基-N-三甲基甲硅烷基三氟乙酰胺(MSTFA)、(苯硫基)三甲基硅烷、三甲基溴硅烷(TMBS)、三甲基氯硅烷(TMCS)、三甲基碘硅烷(TMIS)、4-三甲基硅氧基-3-戊烯-2-酮(TMSacac)、N-(三甲基甲硅烷基)乙酰胺(TMS-乙酰胺)、三甲基甲硅烷基乙酸酯、三甲基甲硅烷基叠氮化物、三甲基甲硅烷基苯磺酸酯、三甲基甲硅烷基氰化物(TMSCN)、N-(三甲基甲硅烷基)二乙胺(TMSDEA)、N,N-二甲基氨基甲酸三甲基甲硅烷基酯(DMCTMS)、1-(三甲基甲硅烷基)咪唑(TNSIM)、三甲基甲硅烷基甲磺酸酯、4-(三甲基甲硅烷基)吗啉、3-三甲基甲硅烷基-2-唑烷酮(TMSO)、三甲基甲硅烷基全氟-1-丁磺酸酯(TMS全氟丁磺酸酯)、三甲基甲硅烷基三氯乙酸酯、三甲基甲硅烷基三氟乙酸酯、三甲基甲硅烷基三氟甲磺酸酯(TMS三氟甲磺酸酯)，或者其中两种或更多种的混合物。

图6A和6B示出了设置用于促进组合的溶剂置换与蒸气甲硅烷基化工艺的系统。在图6A中的示例性构造中，漂洗剂430如IPA可从分配臂610被分配到负载有小型结构图案化层(例如，元件400)的基底上。在分配漂洗剂的同时或之后不久，可施用含有气化的甲硅烷基化剂和氮气的混合气体流630以使漂洗剂干掉。

混合气体流630可通过如图6A中所示的示例性蒸气发生容器640产生。在一些实施方案中，蒸气发生容器640可包含液体甲硅烷基化剂(例如，HMDS)，并且可控制温度使得液体甲硅烷基化剂蒸发为气体形式。在一些实施方案中，可将载气(氮气)添加到蒸发容器中以形成包含气化的甲硅烷基化剂和氮气二者的混合气体流630。在一些实施方案中，可将载气添加至蒸发容器，直接添加至液体甲硅烷基化剂以形成其中混合有气化的甲硅烷基化剂的气泡，从而形成混合的气化的甲硅烷基化剂和氮气。在一些实施方案中，可将载气添加至蒸发容器并可从液体甲硅烷基化剂的上方通过，使得从液体甲硅烷基化剂中逃逸的蒸气能与载气混合以形成混合的气化的甲硅烷基化剂和氮气。或者，可将液体甲硅烷基化剂喷到所述吹扫气体中。在这些实施方案中，氮气和气化的甲硅烷基化剂可在其进入端口650时混合。当然，可使用这些技术的任意组合。

或者，在另一些实施方案中，可能不将载气添加至蒸发容器。而是，可经由不同的端口660供应氮气，然后与气化的甲硅烷基化剂在分配臂620中混合。或者，可使来自端口150的混合的气化的甲硅烷基化剂和氮气与连接端口660的歧管(manifold)中的氮气混合。

在一些实施方案中，可使用富含氮气的吹扫气体流对部分润湿的晶片的液体弯液面施加剪切力。

图6B示出了漂洗和干燥步骤期间基底的顶视图，其类似于图5B中所示的构造。随着基底旋转以及氮气分配臂从基底的中心朝向边缘移动，干燥的面积可从中心向外扩大而湿润的面积减小并最终消失。

在一些实施方案中，如图6C所示，两个分配臂610和620可设置在基底的同侧彼此相邻。在一些实施方案中，可使所述两个分配臂同时移动，以使氮气和甲硅烷基化剂分配臂在IPA分配臂之后以相同的步调(pace)移动。在一些实施方案中，可使所述两个分配臂同步移动，以使氮气和甲硅烷基化剂分配臂在IPA分配臂之后移动，但以较慢的步调移动。

在一些实施方案中，两个分配臂610和620可形成同一结构的两个通道。例如，如图6D所示，其可为同一分配臂中的两个管，各自连接不同的材料源：一个连接漂洗剂，而另一个连接包含气化的甲硅烷基化剂和氮气二者的混合气体源的供应器。

在使用分配臂610和620之一或二者时，可改变吹扫气体或甲硅烷基化剂的流量、吹扫气体或甲硅烷基化剂的压力、吹扫气体或甲硅烷基化剂的化学组成、吹扫气体或甲硅烷基化剂的温度、漂洗剂430的流量、漂洗剂430的温度、基底的旋转速度、分配臂610或分配臂620的位置，或者分配臂610或分配臂620的速度，或者其任意组合。这可使用控制系统组件的控制器实现。

已经详细地描述了多个实施方案，显而易见，不背离所附权利要求所限定的发明范围的修改、改变和等同实施方案是可能的。另外，应理解，本公开内容中的所有实例作为非限制性实例而提供。

上述各种方法和技术提供了多个实施方案。当然，应理解，根据本文所述的任何特定实施方案并不一定可实现上述全部目的和优点。因此，例如，本领域的技术人员应认识到，所述方法可以以这样的方式进行，即，实现或最优化如本文所教导的一个优点或一组优点，而不必实现如本文可能教导或建议的其他目的或优点。本文提到了多个有利的或不利的替代方案。应理解，一些实施方案具体包括一个、另一个或若干个有利的特征，同时另一些具体排除一个、另一个或若干个不利的特征，同时还有另一些具体通过包括一个、另一个或若干个有利的特征来减轻出现的不利特征。

另外，技术人员应认识到来自不同实施方案的各种特征的适用性。同样地，本领域的普通技术人员可混合并匹配以上所述的各个元件、特征和步骤以及每个这样的元件、特征或步骤的已知等同物，从而根据本文所述的原理实施方法。在各个元件、特征和步骤中，不同的实施方案可具体包括一些，并且具体排除另一些。

尽管在某些实施方案和实施例的上下文中已经公开了本发明，但本领域的技术人员应理解，本发明的实施方案从具体公开的实施方案扩展到其他替代的实施方案和/或使用及其修改和等同物。

在一些实施方案中，用于描述和使得本发明的某些实施方案得到保护的表示成分量、性质如分子量、反应条件等的数字应理解为在一些情况下由术语“约”修饰。因此，在一些实施方案中，书面说明书和所附权利要求中所陈述的数值参数为近似值，其可根据通过特定实施方案想要获得的所需性质变化。在一些实施方案中，数值参数应按照所报导的有效数字的数值并通过应用常规四舍五入法来解释。尽管陈述本发明的一些实施方案的宽范围的数值范围和参数是近似值，但是尽可能精确地报道具体实例中陈述的数值。存在于本发明的一些实施方案中的数值可包含由各自的测试测量中出现的标准偏差所必然产生的某些误差。

在一些实施方案中，描述本发明的特定实施方案的上下文中(尤其是在某些权利要求上下文中)使用的术语“一个”、“一种”和“该”以及类似的指代可以解释为包括单数和复数二者。对本文数值范围的叙述仅意图用作独立引用落入该范围的每个单独的值的速记方法(shorthand method)。除非本文另有说明，否则每个单独的值都被并入说明书，就像其被单独并入本文一样。本文所述的所有方法可以以任意合适的顺序进行，除非本文另有说明或者上下文明显矛盾。关于本文某些实施方案提供的任何或全部实例或者示例性语言(例如，“如”)的使用仅意在更好地说明本发明并且不对本发明的范围形成限制，除非另有声明。说明书中任何语言均不应解释为将任何未要求权利保护的元素指出是实施本发明所必不可少的。

本文公开的可选择元素或实施方案的分组不应解释为限制。各组成员可被单独提到或要求保护，或者与本文发现的组的其他成员或其他元素任意组合。由于便利和/或专利的原因，一组的一个或多个成员可以被包括于一组中或从该组删除。当任何此类包括或删除发生时，说明书在本文中被视为含有经过改动的组，因此满足对所附权利要求书中所用的全部马库什组的书面说明。