技术特征：
技术总结
根据实施例的发光器件包括：衬底；第一发光单元至第M发光单元，布置在所述衬底上，彼此间隔开(其中M是2或大于2的正整数)；第一至第M‑1互连线，配置为将所述第一发光单元至第M发光单元串联连接；其中第m(其中1≤m≤M)发光单元包括顺序布置在所述衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；其中第n(其中1≤n≤M‑1)互连线将第n发光单元的第一导电类型半导体层连接到第n+1发光单元的第二导电类型半导体层，第n互连线包括彼此间隔开的多个第一分支线。
技术研发人员：金省均;金青松;文智炯
受保护的技术使用者：LG伊诺特有限公司
技术研发日：2015.08.11
技术公布日：2017.08.18