技术总结
本发明提供了包括第一导电类型的晶体管的FET结构。晶体管包括具有第二导电类型的区域的衬底、位于源极和漏极之间的沟道以及位于沟道上方的栅极。沟道包括第一导电类型的掺杂物。栅极包括第二导电类型的功函设置层。本发明还提供了用于制造具有多阈值电压方案的FET的方法。该方法包括：从第一掩模暴露第一导电类型的第一晶体管的沟道和第二导电类型的第一晶体管的沟道；利用第一导电类型的掺杂物来掺杂沟道；从第二掩模暴露第一导电类型的第二晶体管和第二导电类型的第二晶体管的沟道；以及利用第二导电类型的掺杂物来掺杂沟道。本发明还提供了一种多阈值电压场效应晶体管及其制造方法。
技术研发人员：埃米·马哈德夫·沃克;谢奇勋;朱哲民;郭宇轩
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610084673
技术研发日：2016.02.14
技术公布日：2017.02.15