1.一种硅纳米线阵列的制备方法，包括以下步骤：
⑴、在玻璃衬底上用T-CVD法沉积硅薄膜；
⑵、用金属辅助化学刻蚀法在硅薄膜上制出纳米线阵列。
2.如权利要求1所述硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于：步骤⑴玻璃衬底的表面为清洗除去有机杂质和无机杂质的。
3.如权利要求2所述硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述清洗方法为：用丙酮、乙醇、去离子水依次超声清洗10min；再用体积比为3﹕1的浓硫酸和过氧化氢溶液，在80℃水浴下清洗10min；最后用去离子水冲洗。
4.如权利要求1所述硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于：步骤⑴中T-CVD法沉积硅薄膜，具体方法为：将玻璃衬底置于T-CVD的沉积区，进行电阻加热；向该T-CVD炉中通入硅烷和氢气的混合气体，使该硅烷气体在该加热区中充分分解，在衬底上沉积一层硅薄膜；对该硅薄膜进行氢退火结晶化。
5.如权利要求1所述硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于：步骤⑵中金属辅助化学刻蚀法，具体方法为：将硅薄膜样品放入氢氟酸和硝酸银混合溶液中进行刻蚀；除去沉积的银枝晶；用去离子水彻底清除残留的氢氟酸溶液，干燥。