技术特征：
技术总结
一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供具有第一待键合面的晶圆，晶圆内形成有射频器件；提供具有第二待键合面的载体晶圆；对第二待键合面进行表面处理，将部分厚度的载体晶圆转化为阻挡层；使第一待键合面与第二待键合面相接触，实现晶圆和载体晶圆的键合，阻挡层用于抑制键合后载体晶圆内的感应电荷发生移动。晶圆内的射频器件形成电场，电场容易使载体晶圆形成感应电荷，本发明通过对载体晶圆的第二待键合面进行表面处理，将部分厚度的载体晶圆转化为阻挡层，阻挡层可以抑制键合后载体晶圆内的感应电荷发生移动，避免感应电荷在晶圆和载体晶圆之间发生移动，从而可以避免射频信号能量的损失，进而改善键合后的芯片的性能。
技术研发人员：李海艇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.04.08
技术公布日：2017.10.20