光电子半导体本体和用于制造光电子半导体本体的方法与流程

技术特征：
1.光电子半导体本体（100），-带有衬底（102，132，202），-带有张紧层（104，134，160），该张紧层在第一外延步骤中被施加在所述衬底（102，132，202）上，其中所述张紧层（104，134，160）具有至少一个垂直形成在所述张紧层中的凹部（106，110），其中在第二外延步骤中，在所述张紧层（104，134，160）上施加了另外的层（108，136，168），该另外的层将所述至少一个凹部（106，110）填充并且至少局部地覆盖该张紧层（104，134，160），其中-至少一个凹部（106，110）包括第一类型的凹部（106）和/或第二类型的凹部（110），-所述第一类型的凹部（106）具有5μm至100μm的宽度，以及-所述第二类型的凹部（110）具有0.1μm至5μm的宽度。2.根据权利要求1所述的光电子半导体本体，其中所述另外的层（108，136，168）的晶格常数与所述衬底（102，132，202）的晶格常数的偏差小于所述张紧层（104，134，160）的晶格常数与所述衬底（102，132，202）的晶格常数的偏差。3.根据权利要求1所述的光电子半导体本体，其中，所述张紧层（104，134，160）的晶格常数小于所述衬底的晶格常数，同时所述另外的层（108，136，168）的晶格常数大于所述衬底的晶格常数。4.根据权利要求1至3之一所述的光电子半导体本体，其中，所述张紧层（104，134，160）在所述凹部（106）中被薄化。5.根据权利要求1至3之一所述的光电子半导体本体，其中，所述张紧层（104，134，160）在所述凹部（106）中是完全被中断的。6.根据权利要求1至3之一所述的光电子半导体本体，其中，所述另外的层（108，136，168）完全覆盖所述张紧层（104，134，160）。7.根据权利要求1至3之一所述的光电子半导体本体，其中，所述张紧层（104，134，160）的厚度在0.5μm和5μm之间。8.根据权利要求7所述的光电子半导体本体，其中所述张紧层（104，134，160）的厚度在1μm和3μm之间。9.根据权利要求1至3之一所述的光电子半导体本体，其中所述衬底（132）具有GaN并且所述张紧层是由制成的外罩层（134），其中0≤x≤0.1并且0≤y≤1。10.根据权利要求9所述的光电子半导体本体，其中在InAlGaN外罩层（134）和具有GaN的所述衬底（132）之间施加有中间层（114）。11.根据权利要求10所述的光电子...