技术总结
一种带有衬底的光电子半导体本体具有张紧层，该张紧层在第一外延步骤中被施加在衬底上。张紧层具有至少一个垂直形成在张紧层中的凹部。在第二外延步骤中，在张紧层上施加了另外的层，该另外的层将所述至少一个凹部填充并且至少局部地覆盖该张紧层。至少一个凹部包括第一类型的凹部和/或第二类型的凹部，第一类型的凹部具有5μm至100μm的宽度，以及第二类型的凹部具有0.1μm至5μm的宽度。
技术研发人员：A.S.阿夫拉梅斯库;D.迪尼;I.皮聪卡
受保护的技术使用者：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
文档号码：201610233077
技术研发日：2012.05.15
技术公布日：2017.09.01