用于半导体装置的沟槽式散热结构的制作方法

文档序号:12837999阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明揭露一种用于半导体装置的沟槽式散热结构,其一实施例包含:一第一半导体基板;一热源,位于该第一半导体基板或属于该第一半导体基板,包含至少一热点;至少一第一热导层;至少一第一热导体,用来连接该至少一热点与该至少一第一热导层;至少一散热沟槽;以及至少一第二热导结构,用来连接该至少一第一热导层与该至少一散热沟槽,藉此将该热源的热传导至该散热沟槽。

技术研发人员:颜孝璁;简育生;叶达勋
受保护的技术使用者:瑞昱半导体股份有限公司
技术研发日:2016.04.25
技术公布日:2017.10.31
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