技术总结
本发明涉及包括结终端扩展结构的超结半导体器件及制造方法。实施例涉及超结半导体器件，其包括在半导体主体（106）的第一表面（104）处并至少部分地围绕有源单元区域（108）的结终端区域（102）。结终端区域（102）的内部分（110）布置在结终端区域（102）的外部分（112）和有源单元区域（108）之间。电荷补偿器件结构包括沿着第一横向方向（x）交替地布置的第一导电类型的第一区（114）和第二导电类型的第二区（116）。第一表面区域（118）对应于第一区（114）到第一表面（104）上的投影，而第二表面区域（120）对应于第二区（116）到第一表面（104）上的投影。超结半导体器件还包括第一结终端扩展结构（122）和第二结终端扩展结构（124）中的至少一个。
技术研发人员：F.希尔勒;D.图图克;A.韦尔克尔;H.韦伯
受保护的技术使用者：英飞凌科技奥地利有限公司
文档号码：201610275891
技术研发日：2016.04.29
技术公布日：2017.02.15