1.一种优化SONOS存储器设定值提高产品良率的方法，其特征在于，该方法通过在芯片筛选后对VT不满足规格的失效芯片进行部分设定值的优化调整来降低VT失效率，从而提高产品良率。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定值包括：参考电流，编程电压或编程时间，擦除电压或擦除时间。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法的测试流程包括如下步骤：
第一步，设定所有参数初始值；
第二步，通过产品规格筛选出VT不满足规格的芯片；
第三步，判断是否需要进行部分设定值优化调整：当VT>＝SPEC时，不需要进行优化调整；当VT<SPEC时，需要进行优化调整，对部分设定值进行优化调整后重新读取VT数值判断VT失效率。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，第一步中，所述所有参数包括：参考电流，编程电压或编程时间，擦除电压或擦除时间。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，第三步中，根据产品需求，增加失效芯片设定值的优化调整次数。
6.如权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述进行部分设定值的优化调整为进行参考电流的优化调整，具体为：
当VTP失效比较高时，适当增加失效芯片的参考电流使其VTP值满足规格，相应的VTE失效率不变；当VTE失效比较高时，适当减小失效芯片的参考电流使其VTE值满足规格，相应的VTP失效率不变。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行部分设定值的优化调整为进行编程时间或擦除时间的优化调整，具体为：
当VTP值不满足规格时，通过增加编程时间来降低VTP失效率；当VTE值不满足规格时，通过增加擦除时间来降低VTE失效率。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行部分设定值的优化调整为进行编程电压或擦除电压的优化调整，具体为：
当VTP不满足规格时，通过增加编程电压使得失效芯片的VTP值满足规格；当VTE不满足规格时，通过增加擦除电压使得失效芯片的VTE值满足规格。