技术总结
本发明公开了一种优化SONOS存储器设定值提高产品良率的方法，该方法通过在芯片筛选后对VT不满足规格的失效芯片进行部分设定值的优化调整来降低VT失效率，从而提高产品良率。该方法在既不改变存储器单元器件产品的规格，也不影响产品的可靠性的前提下，有效降低VT失效率，并显著提高产品良率，同时优化了VT的分布。
技术研发人员：单园园;宋旻皓;陈瑜;陈华伦;姚翔
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201610424753
技术研发日：2016.06.16
技术公布日：2016.11.16