技术总结
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，包括如下步骤：(1)在硅片表面形成多孔质层结构；(2)然后用第一化学腐蚀液进行表面刻蚀，即可得到晶体硅太阳能电池绒面结构；所述第一化学腐蚀液为的氢氟酸和氧化剂的混合溶液；其中氢氟酸和氧化剂的摩尔比为1：1~5。本发明调整了HF与HNO3的比例，在扩孔以及去除金属颗粒外，生成有利于扩散吸杂的疏松多孔硅层，该疏松多孔硅层具有非常优异的吸杂性能，经过后续的高温扩散和吸杂后，可以大大降低PN结的复合，提高开路电压和电池转换效率。
技术研发人员：邹帅;王栩生;邢国强;
受保护的技术使用者：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;
文档号码：201610480491
技术研发日：2016.06.27
技术公布日：2016.10.26