技术总结
本发明涉及半导体技术，特别涉及一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法。本发明在传统槽栅型绝缘栅双极晶体管的基础上，通过在P‑base区内引入了N型重掺杂层，当器件正向导通时，空穴电流在埋层下方横向流动，经Rb产生横向压降，当电压降大于0.7V时，N型重掺杂层向漂移区和下P‑base区注入电子，发生强烈的电导调制，使得器件具有极低的导通压降，从而大大降低了器件导通损耗；在阻断态下，由于在沟槽边缘处没有向CSTBT一样的高浓度CS层且阻断电压主要由漂移区承受，因此器件的耐压不会受到N型重掺杂层的影响；在关断期间，漂移区内存储的空穴经过N型重掺杂层的开口区域被发射极抽出，表现出和传统器件一直的关断特性。
技术研发人员：陈万军;娄伦飞;刘超;唐雪峰;胡官昊;陈楚雄;陶虹;刘亚伟;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
文档号码：201610490201
技术研发日：2016.06.27
技术公布日：2017.02.15