技术总结
一种包括硅可控整流器的静电放电保护装置。在一个例子中，该硅可控整流器包括位于半导体衬底中的第一n型区。该硅可控整流器还包括在该半导体衬底中与该第一n型区相邻而定位的第一p型区。该硅可控整流器另外包括位于该第一n型区中的n型接触区和p型接触区。该硅可控整流器还包括位于该第一p型区中的n型接触区和p型接触区。该硅可控整流器另外包括电阻率比该第一p型区更高的阻挡区。该阻挡区位于在该第一p型区中的该n型接触区和该p型接触区之间，用于降低该硅可控整流器的触发电压。
技术研发人员：吉多·沃特·威廉·夸克斯;赖大伟
受保护的技术使用者：恩智浦有限公司
文档号码：201610537492
技术研发日：2016.07.08
技术公布日：2017.05.17