1.一种半导体器件，包括：
第一钝化层，位于半导体衬底中的沟槽的底面上方并且沿着所述半导体衬底中的沟槽的侧壁延伸，其中，所述第一钝化层包括第一介电材料；
钝化氧化物层，在所述沟槽中并且位于所述第一钝化层上，其中，所述钝化氧化物层包括所述第一介电材料的氧化物并且具有比所述第一钝化层高的氧原子百分比；以及
第二钝化层，在所述沟槽中并且位于所述钝化氧化物层上，其中，所述第二钝化层包括所述第一介电材料并且具有比所述钝化氧化物层低的氧原子百分比。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一钝化层具有为5.5电子伏特(eV)或更大的带隙。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述钝化氧化物层的氧原子百分比大于66％。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电材料为氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化锆(ZrO2)、氧化钇(Y2O3)、氧化硅锆(ZrSiO4)、氧化硅铪(HfSiO4)或它们的组合。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟槽至少部分地设置在第一光电二极管器件与第二光电二极管器件之间。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
第三钝化层，位于所述第二钝化层上方并且部分地延伸进所述沟槽内，其中，所述第三钝化层包括与所述第一介电材料不同的第二介电材料；
氧化物层，在所述沟槽中并且在所述第三钝化层上方延伸，其中，所述第三钝化层设置在所述沟槽中的所述氧化物层的第一部分与所述第二钝化层的第一部分之间；
扩散阻挡层，在所述沟槽中并且位于所述氧化物层上方；以及
导电层，在所述沟槽中并且位于所述扩散阻挡层上方。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第三钝化层为非共形层并且不在所述沟槽中的所述氧化物层的第二部分与所述第二钝化层的第二部分之间延伸。
8.一种半导体器件，包括：
第一光电二极管器件和第二光电二极管器件，设置在半导体衬底的正面处；
沟槽，至少部分地设置在所述第一光电二极管器件与所述第二光电二极管器件之间，其中，所述沟槽从所述半导体衬底的背面延伸，所述半导体衬底的背面与所述半导体衬底的正面相对；
多层钝化结构，在所述沟槽的底面上方并且沿着所述沟槽的侧壁延伸，其中，所述多层钝化结构包括：
多个钝化层，每一个都包括具有大于5.5电子伏特(eV)的带隙的介电材料；以及
一个或多个氧化物钝化层，设置在多个钝化层的每一个之间，其中，所述一个或多个氧化物钝化层包括所述介电材料的氧化物并且包括比所述多个钝化层更高的氧原子百分比。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，所述介电材料为氧化铪(HfO2)氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化锆(ZrO2)、氧化钇(Y2O3)、氧化硅锆(ZrSiO4)、氧化硅铪(HfSiO4)或它们的组合。
10.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：
提供包括第一光电二极管器件和第二光电二极管器件的衬底；
在半导体衬底中图案化沟槽，其中，所述沟槽至少部分地设置在所述第一光电二极管器件与所述第二光电二极管器件之间；
在底面上方形成第一钝化层，并且所述第一钝化层沿着所述沟槽的侧壁延伸；
氧化所述第一钝化层的上部以形成钝化氧化物层；以及
在所述沟槽中在所述钝化氧化物层上方形成第二钝化层，其中，所述第一钝化层和所述第二钝化层均都包括相同的介电材料。