技术总结
本发明提供了一种半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法。所述方法包括步骤：在衬底上形成下部半导体层的第一区；使用在形成所述第一区时使用的至少一种气体，在已执行形成所述第一区的处理的腔室中原位地对所述第一区的上表面进行刻蚀；在所述第一区上形成下部半导体层的第二区；在下部半导体层上形成有源层；以及在有源层上形成上部半导体层。
技术研发人员：李振燮;金定燮
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
文档号码：201610630167
技术研发日：2016.08.03
技术公布日：2017.02.15