技术总结
本案发明涉及一种半导体存储装置及其制造方法。半导体存储装置具备：衬底；积层体，配置在衬底上，且具有隔着绝缘层堆叠而成的多个电极层；第1半导体膜，一体地配置在积层体内及衬底内；第1绝缘膜，配置在积层体内及衬底内，且具有电荷存储膜；及第2半导体膜，配置在积层体内及衬底内。第1半导体膜具有：第1半导体部，配置在积层体内；及第2半导体部，配置在衬底内。第1绝缘膜具有：第1绝缘部，配置在第1半导体部与多个电极层之间；及第2绝缘部，配置在衬底内。第2半导体膜具有：第3半导体部，配置在第1半导体部与第1绝缘部之间；及第4半导体部，配置在衬底内。
技术研发人员：滨中启伸
受保护的技术使用者：株式会社东芝
文档号码：201610631403
技术研发日：2016.08.04
技术公布日：2017.05.24