1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：
衬底；
积层体，设置在所述衬底上，且具有分别隔开而积层的多个电极层；
多个柱状部，设置在所述积层体内，沿所述积层体的积层方向延伸，且分别具有：半导体部；及存储器膜，设置在所述半导体部与所述电极层之间；
配线部，设置在所述积层体内，且在第一方向延伸；及
第一配线，设置在所述多个柱状部上，且在相对于所述第一方向交叉的第二方向延伸；且
所述多个柱状部在设定沿相对于所述第一方向及所述第二方向交叉的第三方向延伸的假想性的第一直线时被分为：第一组，包含中心轴沿所述第三方向而交替配置在所述第一直线的两侧的n个(n为3以上32以下的整数)柱状部；及第二组，包含形成使所述第一组相对于所述第一直线反转的位置关系的n个柱状部；且所述第一组及所述第二组交替排列。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述多个柱状部具有配置为三角形状的第一柱状部、第二柱状部及第三柱状部、及配置为三角形状的第四柱状部、第五柱状部及第六柱状部，
通过连结所述第一柱状部的中心、所述第二柱状部的中心、及所述第三柱状部的中心的直线而形成的第一三角形，相对于通过连结所述第四柱状部的中心、所述第五柱状部的中心、及所述第六柱状部的中心的直线而形成的第二三角形反转，
所述第一柱状部及所述第四柱状部未沿所述第一方向配置，
在设定沿所述第一方向延伸的假想性的第二直线时，所述第二柱状部及所述第三柱状部配置在所述第二直线上，
在设定沿所述第一方向延伸的假想性的第三直线时，所述第五柱状部及所述第六柱状部配置在所述第三直线上。
3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述第一柱状部与所述第四柱状部之间的距离，比所述第一柱状部与所述第五柱状部之间的距离、及所述第二柱状部与所述第四柱状部之间的距离长，
所述第一柱状部与所述第四柱状部之间的距离，比所述第三柱状部与所述第六柱状部之间的距离短。
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述第一柱状部及所述第五柱状部、所述第二柱状部及所述第四柱状部、所述第三柱状部及所述第六柱状部分别沿第四方向配置。
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：
通过所述第一方向及所述第四方向形成的第一角度为30度以上60度以下。
6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述多个柱状部配置在第一区域、及以在所述第一方向与所述第一区域相邻的方式设置的第二区域，
所述第一配线分别在所述第一区域及所述第二区域内以相同数延伸，
所述第一区域内的柱状部以与所述第二区域内的柱状部的配置不同的方式配置。
7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述第一区域内的柱状部以将所述第二区域内的柱状部的配置反转的方式配置。
8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述多个柱状部以将所述第一区域内的柱状部的配置与所述第二区域内的柱状部的配置交替重复的方式配置。
9.一种半导体存储装置，其特征在于具备：
衬底；
积层体，设置在所述衬底上，且具有分别隔开而积层的多个电极层；
多个柱状部，设置在所述积层体内，在所述积层体的积层方向延伸，且分别具有：半导体部；及存储器膜，设置在所述半导体部与所述电极层之间；及
配线部，设置在所述积层体内，且在第一方向延伸；且
所述多个柱状部的至少一部分配置为使多个正三角形在所述第一方向交错组合而成的第一形状，
配置为所述第一形状的柱状部的一部分未沿所述第一方向配置，
配置为所述第一形状的柱状部的另一部分沿所述第一方向配置。
10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述多个柱状部具有配置为所述第一形状的第一柱状部、第二柱状部、第三柱状部、第四柱状部、第五柱状部及第六柱状部，
通过连结第一柱状部的中心、第二柱状部的中心、及第三柱状部的中心的直线而形成的第一三角形，相对于通过连结第四柱状部的中心、第五柱状部的中心、及第六柱状部的中心的直线而形成的第二三角形反转，
所述第一柱状部、所述第二柱状部及所述第三柱状部中的一者、与所述第四柱状部、所述第五柱状部及所述第六柱状部中的一者未沿所述第一方向配置。
11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述第一柱状部与所述第四柱状部之间的距离，比所述第一柱状部与所述第五柱状部之间的距离、及所述第二柱状部与所述第四柱状部之间的距离长，
所述第一柱状部与所述第四柱状部之间的距离，比所述第三柱状部与所述第六柱状部之间的距离短。
12.根据权利要求11所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述第一柱状部及所述第五柱状部、所述第二柱状部及所述第四柱状部、及所述第三柱状部及所述第六柱状部分别沿第二方向配置。
13.根据权利要求12所述的半导体存储装置，其特征在于：
通过所述第一方向及所述第二方向而形成的第一角度为30度以上60度以下。
14.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于还具备第一配线，
该第一配线设置在所述多个柱状部上，且在相对于所述第一方向交叉的第三方向延伸。
15.一种半导体存储装置，其特征在于具备：
衬底；
积层体，设置在所述衬底上，且具有分别隔开而积层的多个电极层；
多个柱状部，设置在所述积层体内，在所述积层体的积层方向延伸，且分别具有：半导体部；及存储器膜，设置在所述半导体部与所述电极层之间；
配线部，设置在所述积层体内，且在第一方向延伸；及
第一配线，设置在所述多个柱状部上，且在相对于所述第一方向交叉的第二方向延伸；且
所述多个柱状部沿多个列设置，
所述多个列具有：第一列；第二列，在所述第二方向与所述第一列相邻；及第三列，在所述第二方向与所述第二列相邻；
设置在所述第一列及所述第三列的柱状部沿所述第一方向配置，
设置在所述第二列的柱状部未沿所述第一方向配置。
16.根据权利要求15所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述多个柱状部配置为使多个三角形在所述第一方向交错组合而成的形状。
17.根据权利要求15所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述多个列具有在所述第二方向与所述第三列相邻的第四列，且
设置在所述第四列的柱状部未沿所述第一方向配置。
18.根据权利要求17所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述多个列具有在所述第二方向与所述第四列相邻的第五列，且
设置在所述第五列的柱状部沿所述第一方向配置。
19.根据权利要求18所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述多个柱状部配置为使多个三角形在所述第一方向交错组合而成的形状。
20.根据权利要求18所述的半导体存储装置，其特征在于：
所述多个列具有：第四列，在所述第二方向与所述第三列相邻；第五列，在所述第二方向与所述第四列相邻；及第六列，在所述第二方向与所述第五列相邻；且
设置在所述第四列及所述第六列的柱状部沿所述第一方向配置，
设置在所述第五列的柱状部未沿所述第一方向配置。