技术总结
本申请提出了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法。本发明是要解决现有产品由SiNx与SiO2组成的栅极绝缘层具有表面接触特性与薄膜连续性不好，形成二段角，出现光电介质层断裂，造成短路，导致产品性能异常的问题。它包括基板、第一栅极、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、第二栅极、介电层、第一像素电极层、有机平坦层、第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层、钝化层和第二像素电极层。方法：形成依次包括基板、第一栅极、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、第二栅极、介电层、第一像素电极层、有机平坦层、第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层、钝化层和第二像素电极层在内的多层结构。本发明为两层氧化铟锡层膜层结构，避免二段角异常的出现。
技术研发人员：张占东
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
文档号码：201610717963
技术研发日：2016.08.24
技术公布日：2016.12.14