1.一种异质接面双极晶体管，其特征在于，包括磊晶生长于一砷化镓基板上的多个层半导体层，该多个层半导体层在该砷化镓基板上形成一集电极、在该集电极上形成一基极以及在该基极上形成一发射极，其中该基极包括：
一第一基极层，包括一铟含量i为0<i<1的IniGa1-iAs，该铟含量i为均匀分布或以一第一斜率s1从一发射极端到一集电极端变化，当该铟含量i从该发射极端到该集电极端为增加时，该第一斜率s1被定义为正值；以及
一第二基极层，位于该第一基极层与该发射极之间，并包括一铟含量j为0<j<1的InjGa1-jAs，该铟含量j以一第二斜率s2从该发射极端到该集电极端变化，当该铟含量j从该发射极端到该集电极端为增加时，该第二斜率s2被定义为正值，
其中该铟含量i的一平均值大于该铟含量j的一平均值，该第二斜率s2的一平均值为正值，且该第一斜率s1的平均值为该第二斜率s2的平均值的一半或更小。
2.根据权利要求1所述的异质接面双极晶体管，其特征在于，该铟含量i为一常数。
3.根据权利要求1所述的异质接面双极晶体管，其特征在于，该第一基极层的该铟含量i介于0.03和0.2之间。
4.一种异质接面双极晶体管，其特征在于，包括磊晶生长于一砷化镓基板的多个层半导体层，该多个层半导体层在该砷化镓基板上形成一集电极、在该集电极上形成一基极以及在该基极上形成一发射极，其中该基极包括：
一第三基极层，包括一铟含量m为0<m<1的InmGa1-mAs；以及
一第四基极层，位于该第三基极层与该发射极之间，并包括一铟含量n为0<n<1的InnGa1-nAs，
其中该第四基极层的铟含量n的一平均值大于在该第三基极层内靠近该第四基极层处的该第三基极层的铟含量m。
5.根据权利要求4所述的异质接面双极晶体管，其特征在于，该第四基极层的铟含量n从一第三基极层端到一发射极端为增加。
6.根据权利要求4所述的异质接面双极晶体管，其特征在于，该第三基极层的铟含量m为介于0.03和0.2之间。
7.根据权利要求4所述的异质接面双极晶体管，其特征在于，该发射极还包括一与砷化镓晶格匹配的第一射极层，以及一介于该第四基极层和该第一射极层的第二射极层，其中该第二射极层包括一铟含量v为介于0.53和0.8之间的InvGa1-vP。
8.一种异质接面双极晶体管，其特征在于，包括磊晶生长于一砷化镓基板的多个层半导体层，该多个层半导体层在该砷化镓基板上形成一集电极、在该集电极上形成一基极以及在该基极上形成一发射极，其中：
该基极包括一第五基极层，其拟晶于砷化镓上并具有一至少比砷化镓的体晶格常数大0.15％的第一体晶格常数；以及
该发射极包括一第三射极层，其拟晶于砷化镓上并具有一至少比砷化镓的体晶格常数小0.15％的第二体晶格常数。
9.根据权利要求8所述的异质接面双极晶体管，其特征在于，该第三射极层是由一铟含量x和一磷含量y皆介于0和1之间的InxGa1-xAs1-yPy构成，并且该第三射极层的体晶格常数至少比砷化镓的体晶格常数小0.15％。
10.根据权利要求8所述的异质接面双极晶体管，其特征在于，该第三射极层是由一铟含量x介于0.1和0.44之间的InxGa1-xP构成。
11.根据权利要求10所述的异质接面双极晶体管，其特征在于，该发射极在该第五基极层和该第三射极层之间还包括一第四射极层，且该第四射极层由一铟含量z介于0.53和0.8之间的InzGa1-zP构成。
12.根据权利要求8所述的异质接面双极晶体管，其特征在于，该第三射极层是由一磷含量y介于0.03和0.5之间的GaAs1-yPy构成。
13.根据权利要求8所述的异质接面双极晶体管，其特征在于，该第五基极层是由一铟含量o和一锑含量p皆介于0和1之间的InoGa1-oAs1-pSbp构成，且该铟含量o和该锑含量p的组合满足该第五基极层的体晶格常数至少比砷化镓的体晶格常数大0.15％的条件。
14.根据权利要求8所述的异质接面双极晶体管，其特征在于，该第五基极层是由一铟含量o介于0.03和0.2之间的InoGa1-oAs构成。
15.根据权利要求14所述的异质接面双极晶体管，其特征在于，该基极在该第五基极层和该第三射极层之间还包括一第六基极层，且该第六基极层由具有一铟含量q的InqGa1-qAs构成，该铟含量q的一平均值大于在该第五基极层内靠近该第六基极层处的该第五基极层的铟含量o。
16.根据权利要求15所述的异质接面双极晶体管，其特征在于，该铟含量q从一第五基极层端到一发射极端为增加。
17.根据权利要求8所述的异质接面双极晶体管，其特征在于，该第五基极层是由一锑含量p介于0.03和0.2之间的GaAs1-pSbp构成。