技术总结
本发明公开了一种异质接面双极晶体管，其包括在一GaAs基板上的一集电极、一基极和一发射极，其中所述基极包括一第一基极层，其包括具有一铟含量i和一第一斜率s1的IniGa1‑iAs，和一第二基极层，其包括具有一铟含量j和一第二斜率s2的InjGa1‑jAs，且s1的平均值为s2的平均值的一半或更小；或者其中所述基极包括一第三基极层，其包括具有一铟含量m的InmGa1‑mAs，和一第四基极层，其包括具有一铟含量n的InnGa1‑nAs，且n的一平均值大于靠近第四基极层处的m；或者其中所述基极包括一第五基极层，其拟晶于GaAs且其体晶格常数大于GaAs，所述发射极包括一第三射极层，其拟晶于GaAs且其体晶格常数小于GaAs。
技术研发人员：高谷信一郎;邱瑞斌;张家达
受保护的技术使用者：稳懋半导体股份有限公司
文档号码：201610720947
技术研发日：2016.08.25
技术公布日：2017.03.15