1.一种N型单晶双面电池的制备方法，具体包括如下步骤：
S1在硅片正面制绒，然后进行B扩散；
S2进行湿法蚀刻，去除硅片背面、边缘形成的自扩散层；
S3然后采用PEVCD设备在B扩散层上面沉积SiNX掩膜；
S4对硅片背面进行P扩散；
S5等离子蚀刻硅片边缘的自扩散层，接着用腐蚀液对硅片进行清洗，去除硅片表面SiNX掩膜层和磷硅玻璃层；
S6利用ALD方式形成硅片正面Al2O3钝化膜，然后在硅片正面沉积SiNX保护膜、在硅片背面沉积SiNX减反膜；
S7在硅片的正面和背面分别进行丝网印刷形成电极，然后烧结；
其特征在于，步骤S1所述在硅片正面制绒的具体方法为：先用激光在硅片正面形成金字塔结构，并用氮气清洁干净，然后加热硅片到70°~80°，利用超声波雾化技术在硅片正面沉积一层均匀、不连续的NaOH小液滴，经过2~4分钟腐蚀后在硅片正表面形成金字塔绒面结构。
2.根据权利要求1所述的一种N型单晶双面电池的制备方法，其特征在于：NaOH小液滴雾化前的NaOH溶液的质量百分比浓度为10%~20%。
3.根据权利要求2所述的一种N型单晶双面电池的制备方法，其特征在于：步骤S4形成的正面Al2O3钝化膜的厚度为6~10nm，硅片正面SiNX减反膜的厚度为45~60nm，硅片背面SiNX减反膜的厚度为55~75nm。
4.根据权利要求3所述的一种N型单晶双面电池的制备方法，其特征在于：所述腐蚀液为硝酸与氢氟酸的混合液，硝酸与氢氟酸的质量浓度比为6:1。