技术总结
本发明公开了一种成片率高且光电转换效率好的N型单晶双面电池的制备方法，包括如下步骤：硅片正面制绒后进行B扩散，正面制绒具体为：先用激光在硅片正面形成金字塔结构，氮气清洁干净后，加热硅片到70°~80°，利用超声波雾化在硅片正面沉积NaOH小液滴，经过2~4分钟腐蚀后形成金字塔绒面结构；进行湿法蚀刻，去除硅片背面、边缘形成的自扩散层，然后沉积SiNX掩膜；对硅片背面进行P扩散后，等离子蚀刻边缘的自扩散层，并用腐蚀液进行清洗，去除表面SiNX掩膜层和磷硅玻璃层；利用ALD方式形成硅片正面Al2O3钝化膜，并在硅片正面沉积SiNX保护膜、在硅片背面沉积SiNX减反膜；在丝网印刷形成电极进行烧结。
技术研发人员：励小伟;梁海;赖儒丹;周涛铭;胡巧;张小明
受保护的技术使用者：浙江启鑫新能源科技股份有限公司
文档号码：201610759745
技术研发日：2016.08.30
技术公布日：2017.01.04