1.一种可编程非易失性存储器，包含离子导体，其特征在于：作为离子存储器的所述离子导体掺杂碱性离子，并且具有与其相邻的电阻加热器。
2.根据权利要求1所述的一种可编程非易失性存储器，其特征在于：所述离子导体掺杂Na。
3.根据权利要求1或2所述的一种可编程非易失性存储器，其特征在于：所述存储器为半导体存储器，至少，所述半导体存储器的PN结终止表面的P型导电侧的部分，覆盖所述离子导体薄膜并且具有与其相邻的电阻加热层。
4.根据权利要求3所述的一种可编程非易失性存储器，其特征在于：所述薄膜为铝硅酸盐玻璃薄膜。
5.根据权利要求4所述的一种可编程非易失性存储器，其特征在于：所述电阻加热层为Ti-N-Si薄膜。
6.根据权利要求3所述的一种可编程非易失性存储器，其特征在于：所述半导体存储器的P型侧用于连接至BIT线，所述半导体存储器的N型侧通过选择器接地，所述选择器由WORD线控制，所述电阻加热层连接至ENABLE线。
7.根据权利要求3所述的一种可编程非易失性存储器，其特征在于：所述半导体存储器的p型侧用于连接至BIT线，所述半导体存储器的N型侧通过选择器连接至WORD线，所述电阻加热层连接至ENABLE线。
8.根据权利要求7所述的一种可编程非易失性存储器，其特征在于：所述半导体存储器与开关器件串联，所述半导体器件的n型侧通过选择器连接至WORD线，所述电阻加热层连接至ENABLE线。
9.根据权利要求6所述的一种可编程非易失性存储器，其特征在于：所述选择器为晶体管，所述半导体存储器的N型侧通过所述选择器的金属极连接至WORD线和地，所述电阻加热层连接至ENABLE线。
10.根据权利要求3所述的一种可编程非易失性存储器，其特征在于：通过ENABLE线上的ENABLE信号和所述PN结上的反向偏压，执行写操作。
11.根据权利要求3所述的一种可编程非易失性存储器，其特征在于：通过所述PN结上的反向偏压，执行写操作。
12.根据权利要求3所述的一种可编程非易失性存储器，其特征在于：通过所述ENABLE线上输入的ENABLE信号，执行擦除操作。
13.根据权利要求3所述的一种可编程非易失性存储器，其特征在于：所述存储器为二极管。
14.根据权利要求3所述的一种可编程非易失性存储器，其特征在于：所述存储器为晶体管。
15.根据权利要求6所述的一种可编程非易失性存储器，其特征在于：所述选择器为二极管。