显示基底、制造显示基底的方法及显示器件与流程

文档序号:12599019阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种显示基底,所述显示基底包括:

像素电路,设置在基础基底上方;

绝缘层,设置在所述基础基底上方并且在所述显示基底的深度维度上与所述像素电路叠置;

像素电极,设置在所述绝缘层上方并且电连接到所述像素电路;

像素限定层,设置在所述绝缘层上方,所述像素限定层形成在所述像素电极的一部分上方;以及

间隔件结构,包括第一间隔件和设置在所述第一间隔件上方的第二间隔件,所述第一间隔件与所述像素电路分离并且设置在所述绝缘层上方。

2.根据权利要求1所述的显示基底,其中,所述第一间隔件与所述绝缘层一体地形成。

3.根据权利要求1所述的显示基底,其中,所述间隔件结构具有比所述像素限定层的高度大的高度。

4.根据权利要求3所述的显示基底,其中,所述第二间隔件具有与所述像素限定层的高度相同的高度。

5.根据权利要求1所述的显示基底,其中,所述第二间隔件由与所述像素限定层的材料相同的材料形成。

6.根据权利要求1所述的显示基底,所述显示基底还包括设置在所述第一间隔件和所述第二间隔件之间的辅助电极,其中,所述辅助电极由与像素电极的材料相同的材料形成。

7.根据权利要求6所述的显示基底,其中,所述像素限定层覆盖所述像素电极的侧面,其中,所述第二间隔件覆盖所述辅助电极的侧面。

8.一种制造显示基底的方法,所述方法包括:

在基础基底上方形成像素电路;

在所述基础基底上方形成绝缘层,所述绝缘层在所述显示基底的深度维度上与所述像素电路叠置;

通过第一掩模使所述绝缘层图案化,以形成暴露所述像素电路的一部分的接触孔并且形成与所述像素电路分离的第一间隔件;

在所述绝缘层上方形成像素电极层;

在所述像素电极层上方形成初始像素限定层;以及

通过第二掩模使所述初始像素限定层和所述像素电极层图案化,以在所述第一间隔件上方形成第二间隔件并且在所述绝缘层和所述像素电路上方形成像素电极和像素限定层。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述第一掩模包括被构造成透光的第一部分、被构造成部分地透光的第二部分以及被构造成阻挡光的第三部分。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述第一部分对应于所述绝缘层的所述接触孔,其中,所述第三部分对应于所述绝缘层的所述第一间隔件。

11.根据权利要求8所述的方法,其中,所述第二掩模包括被构造成透光的第四部分、被构造成部分地透光的第五部分以及被构造成阻挡光的第六部分。

12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述第五部分被构造成置于所述像素电极上方,其中,所述第六部分被构造成置于所述像素限定层和所述第二间隔件上方。

13.根据权利要求8所述的方法,其中,使所述绝缘层图案化的步骤包括:

在所述绝缘层上方设置所述第一掩模;

使所述绝缘层暴露于光;以及

选择性地去除曝光的绝缘层以形成所述第一间隔件和所述接触孔。

14.根据权利要求8所述的方法,其中,使所述初始像素限定层和所述像素电极层图案化的步骤包括:

在所述初始像素限定层上方设置所述第二掩模;

使所述初始像素限定层暴露于光;

选择性地去除曝光的初始像素限定层;以及

选择性地去除所述像素电极层以形成所述像素电极。

15.根据权利要求14所述的方法,其中,选择性地去除曝光的初始像素限定层的步骤包括:

选择性地去除曝光的初始像素限定层,使得曝光的初始像素限定层的一部分被构造成置于所述像素电极的中心部分上方并且保留第一厚度,曝光的初始像素限定层的一部分被构造成置于所述像素电极的外围部分和所述第一间隔件上方并且保留比所述第一厚度大的第二厚度,并且去除曝光的初始像素限定层的剩余部分;

使曝光的初始像素限定层固化;以及

去除曝光的初始像素限定层的被构造成置于所述像素电极的所述中心部分上方的部分。

16.根据权利要求14所述的方法,其中,选择性地去除所述像素电极的步骤包括在所述第一间隔件和所述第二间隔件之间形成辅助电极。

17.根据权利要求8所述的方法,其中,形成所述像素电路的步骤包括:

在所述基础基底上方形成有源图案;

在所述基础基底上方形成第一栅极绝缘层,以覆盖所述有源图案;

在所述第一栅极绝缘层上方形成第一栅电极;

在所述第一栅极绝缘层上方形成第二栅极绝缘层,以覆盖所述第一栅电极;

在所述第二栅极绝缘层上形成第二栅电极;

在所述第二栅极绝缘层上方形成绝缘中间层,以覆盖所述第二栅电极;

形成穿过所述绝缘中间层、所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层的多个接触孔;以及

在所述绝缘中间层上方形成源电极和漏电极,并且填充所述接触孔。

18.一种显示器件,所述显示器件包括:

像素电路,设置在基础基底上方;

绝缘层,设置在所述基础基底上方,以覆盖所述像素电路;

像素电极,设置在所述绝缘层上方并且电连接到所述像素电路;

像素限定层,设置在所述绝缘层上方,所述像素限定层形成在所述像素电极的仅一部分上方,从而所述像素电极的剩余部分的至少一部分未被所述像素限定层覆盖;

间隔件结构,包括第一间隔件和设置在所述第一间隔件上方的第二间隔件,所述第一间隔件与所述像素电路分离并且设置在所述绝缘层上方;

有机发光层,设置在所述像素电极的所述剩余部分上方;以及

共电极,设置在所述绝缘层、所述有机发光层、所述像素限定层和所述第二间隔件上方。

19.根据权利要求18所述的显示器件,其中,所述第二间隔件由与所述像素限定层的材料相同的材料形成,其中,所述第二间隔件具有与所述像素限定层的高度相同的高度。

20.根据权利要求18所述的显示器件,所述显示器件还包括设置在所述第一间隔件和所述第二间隔件之间的辅助电极,其中,所述辅助电极由与所述像素电极的材料相同的材料形成。

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