1.一种薄膜封装方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
将待封装器件表面依次制备第一无机材料层、有机材料层和第二无机材料层，在制备所述第一无机材料层和/或所述第二无机材料层时，先采用物理气相沉积法或化学气相沉积法制备无机层A，然后采用原子层沉积法在所述无机层A的表面制备无机层B；或，先采用原子层沉积法制备无机层B，然后采用物理气相沉积法或化学气相沉积法在所述无机层B的表面制备无机层A。
2.根据权利要求1所述的薄膜封装方法，其特征在于，所述无机层A与所述无机层B的材料相同。
3.根据权利要求1所述的薄膜封装方法，其特征在于，在制备所述第一无机材料层时，所述待封装器件表面为金属铝层时，直接采用原子层沉积法在所述金属铝层制备无机层B1。
4.根据权利要求1所述的薄膜封装方法，其特征在于，在制备所述第一无机材料层和/或第二无机材料层时，先采用物理气相沉积法或化学气相沉积法在所述待封装器件表面制备无机层A，然后采用原子层沉积法在所述无机层A的表面制备无机层B，最后在所述无机层B的表面通过物理气相沉积法或化学气相沉积法制备无机层C。
5.根据权利要求4所述的薄膜封装方法，其特征在于，所述无机层A、所述无机层B和所述无机层C的材料相同。
6.根据权利要求1～5任一权利要求所述的薄膜封装方法，其特征在于，所述无机材料层的材料选自氧化铝、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
7.根据权利要求1～5任一权利要求所述的薄膜封装方法，其特征在于，所述物理气相沉积法制备得到的无机层的厚度为50～200nm，所述化学气相沉积法制备得到的无机层的厚度为100nm～1μm，所述原子层沉积法制备得到的无机层的厚度为30～70nm。
8.根据权利要求1～5任一权利要求所述的薄膜封装方法，其特征在于，所述有机材料层采用涂布、喷墨打印或蒸镀的方法制备，所述有机材料层的材料选自丙烯酸酯、环氧树脂、聚对二甲苯、有机硅。
9.根据权利要求1～5任一权利要求所述的薄膜封装方法，其特征在于，所述待封装器件为有机发光二极管，所述有机发光二极管为顶发光有机发光二极管和/或底发光有机发光二极管。
10.一种薄膜封装结构，所述薄膜封装结构设置于封装器件的表面，其特征在于，所述封装器件表面依次设置有第一无机材料层、有机材料层和第二无机材料层，所述第一无机材料层和/或第二无机材料层中包括采用原子层沉积法制备的无机层B；所述无机层B的至少一个表面上设置有采用物理气相沉积法或化学气相沉积法制备的无机层A。