薄膜覆晶封装堆叠结构及其制作方法与流程

本发明关于一种薄膜覆晶封装堆叠结构及其制作方法，特别地，本发明关于一种可兼具节省空间及避免电磁干扰的功效的薄膜覆晶封装堆叠结构及其制作方法。

背景技术：

芯片封装工艺乃是用来保护芯片不受外界物理或化学变动因素所影响，并提供芯片绝缘保护以避免配线受到外界干扰或互相干扰。于驱动IC领域，特别是于液晶显示屏幕(Liquid Crystal Display,LCD)的应用，一般常以卷带承载封装(Tape Carrier Package,TCP)、薄膜覆晶封装(Chip on Film,COF)、玻璃覆晶封装(Chip On Glass)等三种封装方法对驱动IC进行封装。基于成本考虑、脚距、基板可挠性等各种因素，薄膜覆晶封装几乎已取代了卷带承载封装而成为主流趋势。

由于现今电子产品要求越来越高的反应速度以及越来越复杂的功能，而外观部分则不断诉求轻便薄化，因此驱动电路也趋向高积体密度，也就是说，在一定的空间中要置入比以前更多的电路或芯片。越来越密集的集成电路设计，使得有限空间中的芯片数量增加且芯片间的距离越来越接近，而导致电磁干扰也越来越严重。

基于上述问题，有必要研发一种能在一定空间内置入更多集成电路并能阻隔电磁干扰现象的薄膜覆晶封装堆叠结构及其制作方法。

技术实现要素：

本发明的一范畴在于提供一种薄膜覆晶封装堆叠结构。根据本发明的一具体实施例，薄膜覆晶封装堆叠结构包含第一可挠性基板、第二可挠性基板、第一导线层、第二导线层、第一芯片、第二芯片以及黏胶层。于本具体实施例中， 第一可挠性基板具有相对的第一功能面及第一背面，而第二可挠性基板则具有相对的第二功能面及第二背面。第一导线层设置于第一功能面上，且第二导线层设置于第二功能面上。第一芯片设置于第一功能面上并电性连接第一导线层，第二芯片则设置于第二功能面上并连接第二导线层。第一可挠性基板的第一背面面对第二可挠性基板的第二背面，并且，第一背面及第二背面以黏胶层互相连接。黏胶层内包含多个电磁屏蔽粒子，可帮助阻隔第一芯片及第二芯片间的电磁干扰。

本发明的另一范畴在于提供一种薄膜覆晶封装堆叠结构的制作方法。根据本发明的一具体实施例，本发明的薄膜覆晶封装堆叠结构的制作方法包含下列步骤：提供第一薄膜覆晶封装体，第一薄膜覆晶封装体包含具有第一背面的第一可挠性基板；提供第二薄膜覆晶封装体，第二薄膜覆晶封装体包含具有第二背面的第二可挠性基板；设置黏胶层于第一可挠性基板的第一背面上；布设多个电磁屏蔽粒子于黏胶层上；以及将第一薄膜覆晶封装体及第二薄膜覆晶封装体以背对背方式压合，使得黏胶层连接第一背面与第二背面。

本具体实施例的方法所制作出来的薄膜覆晶封装堆叠结构具有内含电磁屏蔽粒子的黏胶层，此黏胶层可协助阻隔第一薄膜覆晶封装体及第二薄膜覆晶封装体间的电磁干扰。

关于本发明的优点与精神可以藉由以下的发明详述以及所附图式得到进一步的了解。

附图说明

图1绘示根据本发明的一具体实施例的薄膜覆晶封装堆叠结构的示意图。

图2A至图2F绘示根据本发明的一具体实施例的薄膜覆晶封装堆叠结构的制作方法各步骤的结构示意图。

图3A至图3G绘示根据本发明的另一具体实施例的薄膜覆晶封装堆叠结构的制作方法各步骤的结构示意图。

符号说明

1：薄膜覆晶封装堆叠结构

10：第一可挠性基板

12：第一导线层

14：第一芯片

16：第一防焊层

18：第一封装胶体

100：第一功能面

102：第一背面

20：第二可挠性基板

22：第二导线层

24：第二芯片

26：第二防焊层

28：第二封装胶体

200：第二功能面

202：第二背面

30：黏胶层

32：电磁屏蔽粒子

具体实施方式

请参阅图1，图1绘示根据本发明的一具体实施例的薄膜覆晶封装堆叠结构1的示意图。如图1所示，薄膜覆晶封装堆叠结构1包含第一可挠性基板10、第二可挠性基板20、第一导线层12、第二导线层22、第一芯片14、第二芯片24以及黏胶层30，上述各元件互相堆叠连接而形成薄膜覆晶封装堆叠结构1。

于本具体实施例中，第一可挠性基板10具有第一功能面100以及相对于第一功能面100的第一背面102，同样地，第二可挠性基板20也具有相对的第二功能面200及第二背面202。可挠性基板10的第一功能面100与可挠性基板20的第二功能面200，可用来设置芯片、导线层等功能性结构层。

如上所述，第一导线层12设置在第一可挠性基板10的第一功能面100上，第二导线层22设置于第二可挠性基板20的第二功能面200之上。第一芯片14设置于第一功能面100上并电性连接第一导线层12，更详细地说，第一芯片14设置于第一功能面100所预先规划出的芯片设置区中，并且可藉由凸 块与第一导线层12电性连接。同样地，第二芯片24设置于第二功能面200所预先规划出的芯片设置区中，并且可藉由凸块与第二导线层22电性连接。第一导线层12与第二导线层22分别自上述的芯片设置区中延伸到第一功能面100与第二功能面200的外缘，使得第一芯片14与第二芯片24能分别透过第一导线层12与第二导线层22与外部电路进行电连接。

除了上述各堆叠层之外，在第一导线层12与第二导线层22上还分别设置第一防焊层16以及第二防焊层26，第一防焊层16以及第二防焊层26分别覆盖第一导线层12与第二导线层22，以对第一导线层12及第二导线层22提供保护效果，第一防焊层16以及第二防焊层26并分别暴露出局部的第一导线层12与第二导线层22，以供导线层与芯片和外部电路电性连接。此外，在第一芯片14、与第一功能面100之间、第二芯片24与第二功能200之间的空间更分别填充有第一封装胶体18以及第二封装胶体28，以对芯片和导线层的电性接点(即凸块)提供保护效果。

第一可挠性基板10的第一背面102与第二可挠性基板20的第二背面202互相面对，并且两者间以黏胶层30接合。黏胶层30内部包含多个电磁屏蔽粒子32，可对上下堆叠的第一芯片14及第二芯片24产生电磁屏蔽效果，以协助薄膜覆晶封装堆叠结构1阻隔电磁干扰。于实务中，电磁屏蔽粒子32可选自金属粒子或其它任何能产生电磁屏蔽效应的粒子，金属粒子可包含银、铁、铜、铜/镍、铜/银、金、铝、镍、黄铜、不锈钢等，其它种类的粒子可包含铁氧体(Ferrite)、石墨、碳黑、纳米碳管、纳米碳球、碳纤维、镀镍石墨、镀镍碳纤维以及镀铜/镍碳纤维等。

如图1所示，本具体实施例的薄膜覆晶封装堆叠结构1的电磁屏蔽粒子32于黏胶层30中可为紧密分布而形成电磁屏蔽薄膜，而电磁屏蔽薄膜可位于黏胶层30靠近第二背面202的一侧。电磁屏蔽粒子32于黏胶层30中的密度越靠近第一背面102则越低。电磁屏蔽薄膜能有效地阻隔第一芯片14与第二芯片24之间的电磁干扰现象。

如上所述，本发明的薄膜覆晶封装堆叠结构是呈两薄膜覆晶封装体背对背上下堆叠连接的型态，除了可提高电性接点、节省空间之外，用来连接两薄膜覆晶封装体的黏胶层内还包含有电磁屏蔽粒子，可阻隔两薄膜覆晶封装体间的 电磁干扰，因此符合LCD驱动IC中芯片的高积体密度趋势并避免其带来的电磁干扰缺点。

请参阅图2A至图2F，图2A至图2F绘示根据本发明的一具体实施例的制作方法各步骤的结构示意图。利用本具体实施例的制作方法可制作出如图1所示的薄膜覆晶封装堆叠结构1，故图2A至图2F的标号对照图1的薄膜覆晶封装堆叠结构1的标号来进行标示。

本具体实施例的薄膜覆晶封装堆叠结构的制作方法包含下列步骤。首先，如图2A所示，提供包含第一可挠性基板10、第一导线层12及第一芯片14的第一薄膜覆晶封装体，其中第一导线层12、第一芯片14设置在第一可挠性基板10的第一功能面100上；如图2B所示，提供包含第二可挠性基板20、第二导线层22及第二芯片24的第二薄膜覆晶封装体，其中第二导线层22、第二芯片24设置在第二可挠性基板20的第二功能面200上。第一薄膜覆晶封装体及第二薄膜覆晶封装体的结构与前述的具体实施例大致上相同，故于此不再赘述。

接着，如图2C所示，设置黏胶层30于第一可挠性基板10的第一背面102上。具体而言，第一薄膜覆晶封装体可被翻转，使第一可挠性基板10的第一背面102朝上，以利设置黏胶层30于第一背面102上。如图2D所示，布设多个电磁屏蔽粒子32于黏胶层30上，其中电磁屏蔽粒子32的布设可利用喷洒的方法将电磁屏蔽粒子32喷洒于黏胶层30上。此外，设置于第一背面102上的黏胶层30可为液态，因此电磁屏蔽粒子32布设于液态的黏胶层30后，可由液态的黏胶层30表面渐渐渗入内部。由于黏胶层30已被设置于第一背面102上，故喷洒时电磁屏蔽粒子32会先接触黏胶层30远离第一背面102的一侧，致使喷洒后电磁屏蔽粒子32在黏胶层30远离第一背面102的一侧的浓度较高，且越接近第一背面102浓度越低。

接着，如图2E所示，将第一薄膜覆晶封装体及第二薄膜覆晶封装体以背对背方式压合，使黏胶层30连接第一背面102及第二背面202。经过压合后，电磁屏蔽粒子32会紧密分布于黏胶层30远离第一背面102的一侧，亦即，靠近第二背面202的一侧，进而形成电磁屏蔽薄膜。于本具体实施例中，电磁屏蔽粒子32可选用银、铁、铜、铜/镍、铜/银、金、铝、镍、黄铜、不锈钢、铁 氧体(Ferrite)、石墨、碳黑、纳米碳管、纳米碳球、碳纤维、镀镍石墨、镀镍碳纤维或镀铜/镍碳纤维等具有电磁屏蔽效果的材料。

再者，黏胶层30用来连接第一薄膜覆晶封装体与第二薄膜覆晶封装体，故液态的黏胶层30须经过固化工艺转变为固态，才具有足够的接合力接合固定两薄膜覆晶封装体。如图2F所示，于压合后对液态的黏胶层30进行固化工艺，使得液态的黏胶层30转变为半固态再进一步转变为固态。

上述具体实施例的制作方法为整个薄膜覆晶封装堆叠结构制作完成后再对液态的黏胶层30进行固化。然而，为了制作方便起见，也可先对液态的黏胶层30进行半固化，使黏胶层30先维持一个特定形状后再进行后续程序。请参阅图3A至图3G，图3A至图3G绘示根据本发明的另一具体实施例的薄膜覆晶封装堆叠结构的制作方法各步骤的结构示意图。图3A至图3D所说明的步骤与图2A至图2D相同，在此不再赘述。本具体实施例与上一具体实施例不同处，在于本具体实施例在如图3D所示布设多个电磁屏蔽粒子32于液态的黏胶层30上之后，先对已包含电磁屏蔽粒子32的液态的黏胶层30进行固化工艺使液态的黏胶层30由液态转变为半固态，如图3E所示。接着，再将第一薄膜覆晶封装体及第二薄膜覆晶封装体以背对背方式压合，以对半固态的黏胶层30施压使电磁屏蔽粒子32紧密分布于半固态的黏胶层30中而形成电磁屏蔽薄膜，如图3F所示。最后，再对半固态的黏胶层30进行固化工艺使其由半固态进一步转变为固态，如图3G所示。藉此，转变成为如图1所示的固态的黏胶层30，以连接第一薄膜覆晶封装体与第二薄膜覆晶封装体而形成薄膜覆晶封装堆叠结构1，同时黏胶层30中的电磁屏蔽粒子32所形成的电磁屏蔽薄膜提供了良好的电磁屏蔽效果。

综上所述，本具体实施例的薄膜覆晶封装堆叠结构及其制作方法，可使LCD驱动IC在单位体积内的芯片数量增加，符合高速集成电路的趋势，同时具有良好的电磁屏蔽效果，可有效阻隔芯片间的电磁干扰现象。

藉由以上较佳具体实施例的详述，希望能更加清楚描述本发明的特征与精神，而并非以上述所揭露的较佳具体实施例来对本发明的范畴加以限制。相反地，其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本发明所欲申请的专利范围的范畴内。