技术总结
本发明公开了一种p型ZnRhMO非晶氧化物半导体薄膜，其中，在所述ZnRhMO中，Zn为+2价，Rh为+3价，二者与O结合共同形成材料的p型导电基体；M为Cu、Ni、Sn的一种，为亚氧化化学价态，即当M为Cu时，其为+1价；M为Ni时，为+2价；M为Sn时，为+2价；M掺入基体中，形成p型导电，且M与Zn和Rh共同作用形成空间网络结构，在非晶状态下彼此连通，起到空穴传输通道的作用。本发明还公开了一种制备p型ZnRhCuO非晶氧化物半导体薄膜的方法，以烧结的ZnRhCuO陶瓷片为靶材，采用脉冲激光沉积法制得p型ZnRhCuO非晶薄膜，其空穴浓度为1013~1015cm‑3，可见光透过率≧87%。本发明所公开的p型ZnRhMO非晶氧化物半导体薄膜可用于p型非晶薄膜晶体管。
技术研发人员：吕建国;孟璐
受保护的技术使用者：浙江大学
文档号码：201610914164
技术研发日：2016.10.20
技术公布日：2017.05.24