SONOS存储器的工艺方法与流程

技术特征：

1.一种SONOS存储器的工艺方法，其特征在于，包含如下的工艺步骤：

第1步，在硅衬底上形成ONO介质层，淀积多晶硅并刻蚀形成栅极后退火；再在多晶硅栅极表面形成薄氧化层；

第2步，淀积一层介质层并刻蚀，在多晶硅栅极两侧形成第一层侧墙；

第3步，进行LDD注入，以及卤族离子注入；

第4步，淀积介质层并刻蚀，在多晶硅栅极两侧再形成第二层侧墙；

第5步，进行源区、漏区的注入，形成SONOS存储器。

2.如权利要求1所述的SONOS存储器的工艺方法，其特征在于，所述第1步，采用化学气相沉积法形成ONO介质层,然后光刻定义并刻蚀以保留沟道区上方的ONO层。

3.如权利要求1所述的SONOS存储器的工艺方法，其特征在于，所述第2步，淀积的介质层包括但不仅限于氧化硅或氮化硅。

4.如权利要求1所述的SONOS存储器的工艺方法，其特征在于，所述第4步，淀积的介质层包括但不仅限于氧化硅或氮化硅。

5.如权利要求1所述的SONOS存储器的工艺方法，其特征在于，所述第二层侧墙覆盖在第一层侧墙外围，形成两层叠加的更厚的复合侧墙，使LDD注入、卤族离子注入以及第5步的源区、漏区注入都向远离多晶硅栅极的方向移动，减小漏区与多晶硅栅极的重叠区域。

6.如权利要求5所述的SONOS存储器的工艺方法，其特征在于，两层侧墙减小漏区与多晶硅栅极的重叠区域，但仍需保证漏区与多晶硅栅极的重叠区域≥0μm。

7.如权利要求1所述的SONOS存储器的工艺方法，其特征在于，所述第一层侧墙沿沟道长度方向的厚度为