1.一种半导体集成电路螺旋电感，其特征在于，包括衬底、多层介质层和金属布线层，其中所述衬底上形成有多层介质层，且每层介质层上都形成有金属布线层，针对每层介质层，所述介质层上开设有螺旋状的通槽，在所述通槽内填充有钨金属，以在所述介质层中形成钨金属墙，且各个介质层中钨金属墙相互重叠，所述金属布线层用于连接各个介质层中的钨金属墙。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路螺旋电感，其特征在于，所述衬底包括多晶衬垫层和隔离深槽层，其中所述隔离深槽层上形成有所述多晶衬垫层，且在所述多晶衬垫层上形成有多层介质层。
3.根据权利要求2所述的半导体集成电路螺旋电感，其特征在于，当所述隔离深槽采用不掺杂多晶硅填充时，所述隔离深槽层中所述隔离深槽的平面形状为网格状；当所述隔离深槽采用重掺杂多晶硅填充时，所述隔离深槽层中所述隔离深槽的平面形状为由多个独立段组成的不相通的网格状或者由中心向外辐射的条状。
4.根据权利要求2所述的半导体集成电路螺旋电感，其特征在于，所述半导体集成电路螺旋电感的引入线从顶层金属布线层上与所述钨金属墙的螺旋外端对应位置处，竖直通过各层介质层和金属布线层，引入至所述多晶衬垫层上。
5.根据权利要求2所述的半导体集成电路螺旋电感，其特征在于，所述半导体集成电路螺旋电感的中心引出线从所述多晶衬垫层上与所述钨金属墙的螺旋中心端对应位置处，竖直通过各层介质层和金属布线层，从顶层金属布线层引出。
6.根据权利要求5所述的半导体集成电路螺旋电感，其特征在于，所述中心引出线引出时其路径下方的最外层介质层中的钨金属墙被去掉，且除所述顶层金属布线层外的各层金属布线层上与钨金属墙对应的螺旋状区域中，各螺旋层与所述中心引出线之间均不相连。
7.根据权利要求1所述的半导体集成电路螺旋电感，其特征在于，各层金属布线层上与所述钨金属墙对应的螺旋状区域中，各个螺旋层之间至少有两个螺旋层互连。