电子部件及其制造方法与流程

本发明涉及电子部件及其制造方法，更具体地涉及具备线圈的电子部件及其制造方法。

背景技术：

作为以往的电子部件，例如已知有专利文献1所记载的电子部件。图10A是专利文献1所记载的电子部件510的外观立体图。

电子部件510具备磁性体基板512a、512b、层叠体514、外部电极515a、连接部516a、引出部521a、521b以及线圈L501。磁性体基板512b、层叠体514以及磁性体基板512a从上侧向下侧按该顺序层叠。线圈L501设置在层叠体514内。引出部521a、521b设置于层叠体514的棱线缺损的部分，通过相互连接而上下延伸。线圈L501的一端与引出部521a连接。另外，连接部516a设置于磁性体基板512a的棱线缺损的部分，在其上端与引出部521b连接。外部电极515a设置于磁性体基板512a的底面，并与连接部516a连接。

专利文献1：国际公开2013/031880号公报

然而，在以上那样构成的电子部件500中，如以下说明那样，存在引出部521a、521b从层叠体514脱落的可能性。图10B是引出部521a、521b附近的剖面构造图。

本申请发明人发现存在由于以下的理由，引出部521a、521b从层叠体514脱落的情况。更加详细而言，如图10B所示，引出部521b直接形成在磁性体基板512a的上表面。磁性体基板512a比较硬。因此，引出部521b相对于磁性体基板512a的紧贴性比较低。因此，在用于将母基板分割为多个磁性体基板512a、512b的切割工序以及划线工序中若冲击施加至电子部件510，则在引出部521b与磁性体基板512a之间产生剥离，存在引出部521a、521b从层叠体514脱落的可能性。在此，对切割工序以及划线工序中的冲击作为引出部521a、521b的脱落的原因进行了说明，除此而外，存在电子部件500下落时的冲击等也成为引出部521a、521b的脱落的原因的可能性。

技术实现要素：

因此，本发明的目的在于提供一种能够抑制设置于陶瓷基板上的层叠体的中继导体从层叠体脱落的电子部件及其制造方法。

本发明的一方式所涉及的电子部件的特征在于，具备：第一陶瓷基板，其具有位于层叠方向的一侧的长方形形状的第一主表面以及位于该层叠方向的另一侧的长方形形状的第二主表面；层叠体，其由多个绝缘体层构成，该多个绝缘体层是由包括树脂或者玻璃的材料构成的长方形形状的多个绝缘体层，并在上述第一主表面上沿上述层叠方向层叠；第一线圈，其设置于上述层叠体；第一中继导体，其设置于上述层叠体，并且与上述第一线圈电连接；以及第一外部电极，其设置于上述第一陶瓷基板的表面，并且与上述第一中继导体电连接，上述多个绝缘体层包括呈第一角因第一切口部而缺损的形状的1个以上的第一绝缘体层，上述第一中继导体设置于上述第一切口部，上述多个绝缘体层包括从上述层叠方向的另一侧与上述第一中继导体接触的第二绝缘体层。

上述电子部件的制造方法的特征在于，该上述电子部件的制造方法具备：第一工序，在排列了多个上述第一陶瓷基板的第一母基板的上述第一主表面上通过包括玻璃的材料形成应成为上述多个绝缘体层的多个膏层，并且形成应成为上述第一线圈的线圈导体层以及应成为上述第一中继导体的中继导体层，形成排列了未烧制的多个上述层叠体的母层叠体；以及第二工序，烧制上述母层叠体。

根据本发明，能够抑制设置于陶瓷基板上的层叠体的中继导体从层叠体脱落。

附图说明

图1是一实施方式所涉及的电子部件10的外观立体图。

图2是图1的电子部件10的分解立体图。

图3A是从上侧观察线圈导体层25以及绝缘体层18c的图。

图3B是图3A的X-X的剖面构造图。

图3C是从上侧观察中继导体层26b的图。

图3D是图3A的Y-Y的剖面构造图。

图4A是电子部件10的制造时的工序剖面图。

图4B是电子部件10的制造时的工序剖面图。

图4C是电子部件10的制造时的工序剖面图。

图5A是电子部件10的制造时的工序剖面图。

图5B是电子部件10的制造时的工序剖面图。

图5C是电子部件10的制造时的工序剖面图。

图6A是电子部件10的制造时的工序剖面图。

图6B是电子部件10的制造时的工序剖面图。

图6C是电子部件10的制造时的工序剖面图。

图6D是电子部件10的制造时的工序剖面图。

图7A是电子部件10的制造时的工序剖面图。

图7B是电子部件10的制造时的工序剖面图。

图7C是电子部件10的制造时的工序剖面图。

图7D是电子部件10的制造时的工序剖面图。

图8是贯通孔形成时的工序剖面图。

图9A是变形例所涉及的电子部件10a的外观立体图。

图9B是变形例所涉及的电子部件10a的剖面构造图。

图10A是专利文献1所记载的电子部件510的外观立体图。

图10B是引出部521a、521b附近的剖面构造图。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式所涉及的电子部件及其制造方法进行说明。

(电子部件的构成)

首先，参照附图对本发明的一实施方式所涉及的电子部件的构成进行说明。图1是一实施方式所涉及的电子部件10的外观立体图。图2是图1的电子部件10的分解立体图。图3A是从上侧观察线圈导体层25以及绝缘体层18c的图。图3B是图3A的X-X的剖面构造图。图3C是从上侧观察中继导体层26b的图。图3D是图3A的Y-Y的剖面构造图。以下，将电子部件10的层叠方向定义为上下方向，将在从上侧观察时，电子部件10的长边延伸的方向定义为左右方向，将在从上侧观察时，电子部件10的短边延伸的方向定义为前后方向。上下方向、左右方向以及前后方向相互正交。

如图1以及图2所示，电子部件10具备磁性体基板12a、12b、层叠体14、外部电极15a～15d、有机系粘合剂层19、中继导体21、22、26、27、以及线圈L1、L2。

磁性体基板12a(第一陶瓷基板的一个例子)呈具有长方形形状的主表面S1、S2的长方体状。主表面S1(第一主表面的一个例子)是位于上侧(层叠方向的一侧的一个例子)的主表面，主表面S2(第二主表面的一个例子)是位于下侧(层叠方向的另一侧的一个例子)的主表面。其中，磁性体基板12a如下述那样，呈连接主表面S1、S2的4根棱线因切口部Ca～Cd(第二切口部的一个例子)而缺损的形状。应予说明，长方形形状是即包括正方形形状，也包括长方形形状的角被切口的形状的概念。

磁性体基板12a的材料是磁性体材料。在本实施方式中，磁性体基板12a通过切削出烧制完毕的铁氧体陶瓷来制作。另外，磁性体基板12a可以通过将由铁氧体预烧粉末以及粘合剂构成的膏涂敷于铝等陶瓷基板并进行烧制来制作，也可以通过层叠以及烧制铁氧体材料的生片来制作。

层叠体14包括绝缘体层18a～18c(多个绝缘体层的一个例子)，从上侧观察时呈长方形形状。角C1是层叠体14的左后侧的角。角C2是层叠体14的左前侧的角。角C3是层叠体14的右后侧的角。角C4是层叠体14的右前侧的角。其中，由于层叠体14的绝缘体层18a～18c的角缺损，因此角C1～C4是虚拟的角。

绝缘体层18a～18c在主表面S1上层叠为从上侧向下侧按该顺序排列，具有与主表面S1大致相同的大小以及形状。其中，绝缘体层18a(第四绝缘体层的一个例子)呈角C2、C4(角C4为第二角的一个例子)分别因切口部c1、c3(切口部c3为第三切口部的一个例子)而缺损的形状。绝缘体层18b(第一绝缘体层、第四绝缘体层以及第五绝缘体层的一个例子)呈角C1～C4(角C3为第一角的一个例子、角C4为第二角的一个例子、角C1为第三角的一个例子)分别因切口部c2、c4～c6(切口部c6为第一切口部的一个例子、切口部c4为第三切口部的一个例子、切口部c5为第四切口部的一个例子)而缺损的形状。切口部c1～c6是在从上侧观察时，相对于电子部件10的长方形形状的上表面，绝缘体层18a、18b缺损的等腰直角三角形状的部分。如上所述，绝缘体层18a～18c包括呈角C2、C4因切口部c1、c3而缺损的形状的绝缘体层18a(第四绝缘体层的一个例子)、以及呈角C1～C4因切口部c2、c4～c6而缺损的形状的绝缘体层18b(第一绝缘体层、第四绝缘体层以及第五绝缘体层的一个例子)。

另外，在绝缘体层18c的角C1～C4也设置有切口部ca～cd，但切口部ca～cd是因下述的切口部Ca～Cd而形成的切口部，与切口部c1～c6不同。因此，绝缘体层18c的切口部ca～cd的形状不是等腰直角三角形状，而是中心角为90度的扇形。

并且，在绝缘体层18a设置有沿上下方向贯通的通孔H1、H2。在绝缘体层18b设置有沿上下方向贯通的通孔H3。通孔H3和通孔H2相连。

以上那样的绝缘体层18a～18c通过聚酰亚胺来制作。另外，绝缘体层18a～18c也可以通过包括苯并环丁烯等绝缘性树脂的材料来制作，优选通过以绝缘性树脂为主要成分的材料来制作。以下，将绝缘体层18a～18c的上侧的主表面称作表面，将绝缘体层18a～18c的下侧的主表面称作背面。

磁性体基板12b(第二陶瓷基板的一个例子)呈长方体状，跟磁性体基板12a一同从上下方向夹着层叠体14。即，磁性体基板12b重叠在层叠体14的上侧。磁性体基板12b的材料是磁性体材料。在本实施方式中，磁性体基板12b通过切削出烧制完毕的铁氧体陶瓷来制作。另外，磁性体基板12b也可以通过将由铁氧体预烧粉末以及粘合剂构成的膏涂敷于铝等陶瓷基板并进行烧制来制作，还可以通过层叠以及烧制铁氧体材料的生片来制作。

有机系粘合剂层19将磁性体基板12b与层叠体14接合。

线圈L1(第二线圈的一个例子)设置在层叠体14内，包括线圈导体层20以及引出导体30、32。线圈导体层20设置在绝缘体层18b的表面上，在从上侧观察时呈顺时针旋回并且向中心靠近的漩涡状。线圈导体层20的中心在从上侧观察时与电子部件10的中心(对角线交点)大致一致。

引出导体30设置在绝缘体层18b的表面上，从线圈导体层20的外侧的端部朝向左侧延伸，被引出至绝缘体层18b的左后侧的角C1。因此，引出导体30在从上侧观察时不呈漩涡状。因此，如图2的放大图所示，线圈导体层20与引出导体30的边界是引出导体30从线圈导体层20形成的漩涡状的轨迹脱离的位置。应予说明，对于线圈导体层25(下述)与引出导体34(下述)的边界，也和线圈导体层20与引出导体30的边界相同。

引出导体32设置在绝缘体层18a的表面上以及通孔H1内。引出导体32的后侧的端部通过经由通孔H1沿上下方向贯通绝缘体层18a，与线圈导体层20的内侧的端部连接。另外，引出导体32在绝缘体层18a的表面上从通孔H1朝向左前侧延伸，被引出至绝缘体层18a的左前侧的角C2。因此，引出导体32在从上侧观察时不呈漩涡状。

中继导体21(第三中继导体的一个例子)与线圈L1电连接，设置于切口部c5(即角C1)。更加详细而言，中继导体21在从上侧观察时呈与切口部c5一致的等腰直角三角形状，包括中继导体层21a、21b。中继导体层21a、21b从上侧向下侧按该顺序连接，在从上侧观察时呈相同的形状。

中继导体层21a设置在切口部c5内，是在从绝缘体层18b的表面至绝缘体层18c的表面之间沿上下方向延伸的等腰直角三角形状的导体层。其中，中继导体层21a从绝缘体层18b的表面向上侧突出1层的厚度。并且，中继导体层21a与引出导体30的左侧的端部连接，在从上侧观察时与引出导体30的左侧的端部组合而呈正方形形状。由此，中继导体21与线圈导体层20的外侧的端部电连接。中继导体层21b是设置在绝缘体层18c的表面上的等腰直角三角形状的导体层。其中，中继导体层21b不位于设置在绝缘体层18c的切口部ca内。

中继导体22与线圈L1电连接，设置于切口部c1、c2(即角C2)。更加详细而言，中继导体22在从上侧观察时呈与切口部c1、c2一致的等腰直角三角形状，包括中继导体层22a～22c。中继导体层22a～22c从上侧向下侧按该顺序连接，在从上侧观察时呈相同的形状。

中继导体层22a设置在切口部c1内，是在从绝缘体层18a的表面至绝缘体层18b的表面之间沿上下方向延伸的等腰直角三角形状的导体层。其中，中继导体层22a从绝缘体层18a的表面向上侧突出1层的厚度。并且，中继导体层22a与引出导体32的左前侧的端部连接，在从上侧观察时与引出导体32的左前侧的端部组合而呈正方形形状。由此，中继导体22与线圈导体层20的内侧的端部电连接。中继导体层22b设置在切口部c2内，是在从绝缘体层18b的表面至绝缘体层18c的表面之间沿上下方向延伸的等腰直角三角形状的导体层。中继导体层22c是设置于绝缘体层18c的表面的等腰直角三角形状的导体层。其中，中继导体层22c不位于设置在绝缘体层18c的切口部cb内。

线圈L2(第一线圈的一个例子)设置在层叠体14内，包括线圈导体层25以及引出导体34、36a、36b。线圈导体层25设置在绝缘体层18c的表面上，在从上侧观察时呈顺时针旋回并且向中心靠近的漩涡状。即，线圈导体层25向与线圈导体层20相同的方向旋回。线圈导体层25的中心在从上侧观察时与电子部件10的中心(对角线交点)大致一致。因而，线圈导体层25在从上侧观察时与线圈导体层20重叠。并且，线圈导体层25设置于比线圈导体层20靠下侧处。由此，线圈L2与线圈L1磁耦合，跟线圈L1一同构成共模扼流线圈。

引出导体34设置在绝缘体层18c的表面上，从线圈导体层25的外侧的端部向后侧延伸，被引出至绝缘体层18c的右后侧的角C3。因此，引出导体34在从上侧观察时不呈漩涡状。

引出导体36a设置在通孔H3内。引出导体36a是通过经由通孔H3沿上下方向贯通绝缘体层18b来与线圈导体层25的内侧的端部连接的四边形状的导体。

引出导体36b设置在绝缘体层18a的表面上以及通孔H2内。引出导体36b的左后侧的端部通过经由通孔H2沿上下方向贯通绝缘体层18a来与引出导体36a连接。另外，引出导体36b在绝缘体层18a的表面上从通孔H2朝向右前侧延伸，被引出至绝缘体层18a的右前侧的角C4。因此，引出导体36b在从上侧观察时不呈漩涡状。

中继导体26(第一中继导体的一个例子)与线圈L2电连接，设置于切口部c6(即角C3)。更加详细而言，中继导体26在从上侧观察时呈与切口部c6一致的等腰直角三角形状，包括中继导体层26a、26b。中继导体层26a、26b从上侧向下侧按该顺序连接，在从上侧观察时呈相同的形状。

中继导体层26a设置在切口部c6内，是在从绝缘体层18b的表面至绝缘体层18c的表面之间沿上下方向延伸的等腰直角三角形状的导体层。其中，中继导体层26a从绝缘体层18b的表面向上侧突出1层的厚度。中继导体层26b是设置在绝缘体层18c的表面上的等腰直角三角形状的导体层。其中，中继导体层26b不位于设置在绝缘体层18c的切口部cc内。并且，中继导体层26b从绝缘体层18c的表面向上侧突出1层的厚度。并且，中继导体层26b与引出导体34的后侧的端部连接，在从上侧观察时与引出导体34的后侧的端部组合而呈正方形形状。由此，中继导体26与线圈导体层25的外侧的端部电连接。

中继导体27(第二中继导体的一个例子)与线圈L2电连接，设置于切口部c3、c4(即角C4)。更加详细而言，中继导体27在从上侧观察时呈与切口部c3、c4一致的等腰直角三角形状，包括中继导体层27a～27c。中继导体层27a～27c从上侧向下侧按该顺序连接，在从上侧观察时呈相同的形状。

中继导体层27a设置在切口部c3内，是在从绝缘体层18a的表面至绝缘体层18b的表面之间沿上下方向延伸的等腰直角三角形状的导体层。其中，中继导体层27a从绝缘体层18a的表面向上侧突出1层的厚度。并且，中继导体层27a与引出导体36b的右前侧的端部连接，在从上侧观察时与引出导体36b的右前侧的端部组合而呈正方形形状。由此，中继导体27与线圈导体层25的内侧的端部电连接。中继导体层27b设置在切口部c4内，是在从绝缘体层18b的表面至绝缘体层18c的表面之间沿上下方向延伸的等腰直角三角形状的导体层。中继导体层27c是设置在绝缘体层18c的表面的等腰直角三角形状的导体层。其中，中继导体层27c不位于设置在绝缘体层18c的切口部cd内。

线圈L1、L2以及中继导体21、22、26、27例如通过利用溅射法形成Ag膜来制作。另外，线圈L1、L2以及中继导体21、22、26、27也可以通过Cu、Au等导电性较高的材料来制作。

在此，对切口部Ca～Cd进行说明。磁性体基板12a在从上侧观察时呈与中继导体21、22、26、27重叠的棱线分别因切口部Ca、Cb、Cc、Cd(第二切口部的一个例子)而缺损的形状。切口部Ca～Cd是长方体与磁性体基板12a的相减的空间。切口部Ca是通过切削磁性体基板12a的左后侧的棱线而形成的空间。切口部Cb是通过切削磁性体基板12a的左前侧的棱线而形成的空间。切口部Cc是通过切削磁性体基板12a的右后侧的棱线而形成的空间。切口部Cd是通过切削磁性体基板12a的右前侧的棱线而形成的空间。以下，以切口部Cc为例进行说明。应予说明，切口部Ca、Cb、Cd、ca、cb、cd与切口部Cc、cc相同，因此省略说明。

如图3B所示，沿磁性体基板12a沿上下方向延伸的棱线附近从主表面S2向主表面S1切削成朝向上侧较尖的吊钟状(穹顶状)。因此，从上侧观察切口部Cc时的面积随着从主表面S2靠近主表面S1(随着朝向上侧)而变小。切口部Cc在从上侧观察时呈中心角为90度的扇形。并且，如图3B所示，形成切口部Cc的内周面相对于主表面S2呈钝角θ。应予说明，连接部16c覆盖切口部Cc的内周面，不填埋切口部Cc。因此，在图3B中，未在切口部Cc内实施表示连接部16c的阴影线。其中，由于在图3B的剖面的里面看得见连接部16c，因此在未实施阴影线的部分标注了引出线。

另外，如图3B所示，切口部Cc到达层叠体14，使绝缘体层18c的角C3形成切口。因此，在绝缘体层18c的角C3设置有中心角为90度的扇形的切口部cc。切口部cc是在从上侧观察时呈长方形形状的电子部件10的上表面与绝缘体层18c的相减的区域。这样，通过切口部Cc到达层叠体14，如图3B所示，中继导体层26b在切口部Cc内露出而构成切口部Cc的内周面的一部分。

在此，如图3C所示，切口部cc在从上侧观察时收敛在中继导体层26b内。即，如图3C所示，中继导体层26b在从上侧观察时从切口部cc凸出。因此，如图3B所示，绝缘体层18c(第二绝缘体层的一个例子)在中继导体层26b从切口部cc凸出的部分(图3B的Y区域)与中继导体层26b从下侧接触。即，绝缘体层18c与中继导体层26b从切口部cc凸出的部分的下表面接触。因而，中继导体层26b不与磁性体基板12a接触。应予说明，中继导体层26b的一部分也可以与磁性体基板12a接触，但优选中继导体层26b不与磁性体基板12a接触。另外，绝缘体层18c与中继导体层21b、22c、27c也从切口部ca、cb、cd凸出的部分的下表面接触(在此不进行详述)。

外部电极15a～15d(外部电极15c为第一外部电极的一个例子、外部电极15d为第二外部电极的一个例子、外部电极15a为第三外部电极的一个例子)分别设置于磁性体基板12a的表面，并且与中继导体21、22、26、27电连接。在本实施方式中，外部电极15a～15d分别与中继导体21、22、26、27的下端连接。外部电极15a～15d分别包括连接部16a～16d以及底面部17a～17d。

底面部17a是在主表面S2设置于左后侧的角附近的长方形形状的导体层。连接部16a通过设置为覆盖切口部Ca的内周面而与中继导体21以及底面部17a连接。底面部17b是在主表面S2设置于左前侧的角附近的长方形形状的导体层。连接部16b通过设置为覆盖切口部Cb的内周面而与中继导体21以及底面部17b连接。底面部17c是在主表面S2设置于右后侧的角附近的长方形形状的导体层。连接部16c通过设置为覆盖切口部Cc的内周面而与中继导体21以及底面部17c连接。底面部17d是在主表面S2设置于右前侧的角附近的长方形形状的导体层。连接部16d通过设置为覆盖切口部Cd的内周面而与中继导体21以及底面部17d连接。

在此，参照附图对线圈导体层25、中继导体21、22、26、27以及连接部16a～16d的位置关系进行说明。

如图3A以及图3D所示，线圈导体层25与连接部16d的最短距离D1比线圈导体层25与中继导体27的最短距离D2长。另外，虽未图示，但线圈导体层25与连接部16a的最短距离D1比线圈导体层25与中继导体21的最短距离D2长。线圈导体层25与连接部16b的最短距离D1比线圈导体层25与中继导体22的最短距离D2长。另外，同样，线圈导体层25与连接部16a～16c的最短距离D1分别比线圈导体层25与中继导体21、22、26的最短距离D2长。

另外，如图3B所示，连接部16a～16d(连接部16a、16b、16d未图示)在从上侧观察时不与线圈导体层20、25重叠。

底面部17a～17d通过利用溅射法重叠形成Au膜、Ni膜、Cu膜、Ti膜来制作。应予说明，底面部17a～17d也可以通过印刷以及烧结含有Ag、Cu等金属的膏来制作，还可以通过利用蒸镀、镀敷方法形成Ag、Cu等来制作。连接部16a～16d通过利用镀敷方法形成以Cu为主要成分的导体膜来制作。应予说明，连接部16a～16d也可以通过Ag、Au等导电性较高的材料来制作。

以下对如上所述那样构成的电子部件10的动作进行说明。外部电极15a、15c例如用作输入端子。外部电极15b、15d例如作为输出端子使用。

向外部电极15a、15c分别输入由相位相差180度的第一信号以及第二信号构成的差动传输信号。由于第一信号以及第二信号是差分模式，因此，在通过线圈L1、L2时使线圈L1、L2产生相互反向的磁通量。并且，在线圈L1产生的磁通量与在线圈L2产生的磁通量相互抵消。因此，在线圈L1、L2内几乎不产生由第一信号以及第二信号流动引起的磁通量的增减。即，线圈L1、L2不产生妨碍第一信号以及第二信号流动的反电动势。因而，电子部件10对于第一信号以及第二信号仅具有非常小的阻抗。

另一方面，在第一信号以及第二信号包括共模噪声的情况下，共模噪声在通过线圈L1、L2时使线圈L1、L2产生相同的方向的磁通量。因此，在线圈L1、L2内，由于共模噪声流动而导致磁通量增加。由此，线圈L1、L2产生妨碍共模噪声流动的反电动势。因而，电子部件10对于第一信号以及第二信号具有较大的阻抗。

(电子部件的制造方法)

以下，参照附图对电子部件10的制造方法进行说明。图4A至图7D是电子部件10的制造时的工序剖面图。图8是贯通孔形成时的工序剖面图。

首先，准备由母基板112a(参照图4A，第一母基板的一个例子)和母基板112b(参照图4A)夹着母层叠体114(参照图4A)而成的母主体110。母基板112a、112b分别是多个磁性体基板12a、12b在前后方向以及左右方向排列成矩阵状而成的大尺寸的基板。母层叠体114是多个层叠体14在前后方向以及左右方向排列成矩阵状而成的大尺寸的层叠体。

具体而言，在烧制完毕的母基板112a的主表面S1的整个面涂覆作为感光性树脂的聚酰亚胺树脂来形成未固化的树脂层。接下来，在对未固化的树脂层进行曝光后进行加热。由此，未固化的树脂层固化而在主表面S1上形成绝缘体层18c。

接下来，通过溅射法在绝缘体层18c上形成Ag膜。接下来，在Ag膜中的形成线圈导体层25、中继导体层21b、22c、26b、27c(成为中继导体的一部分的第一中继导体层的一个例子)以及引出导体34的部分上形成光致抗蚀剂。然后，通过蚀刻法去除形成线圈导体层25、中继导体层21b、22c、26b、27c以及引出导体34的部分(即被光致抗蚀剂覆盖的部分)以外的Ag膜。然后，通过有机溶剂去除光致抗蚀剂。由此，线圈导体层25、中继导体层21b、22c、26b、27c以及引出导体34形成在绝缘体层18c上。

接下来，在绝缘体层18c的整个面上涂覆作为感光性树脂的聚酰亚胺树脂来形成未固化的树脂层。对与绝缘体层18b的切口部c2、c4～c6以及通孔H3对应的位置进行遮光，针对未固化的树脂层进行曝光。由此，未被遮光的部分的未固化的树脂层固化。然后，通过有机溶剂去除光致抗蚀剂，并且进行显影，去除未固化的树脂层。并且，通过对剩余的树脂层进行加热而使剩余的树脂层热固化。由此，形成绝缘体层18b。

接下来，通过溅射法在绝缘体层18b上形成Ag膜。接下来，在Ag膜中的形成线圈导体层20、中继导体层21a、22b、26a、27b以及引出导体30、36a的部分上形成光致抗蚀剂。然后，通过蚀刻法去除形成线圈导体层20、中继导体层21a、22b、26a、27b以及引出导体30、36a的部分(即被光致抗蚀剂覆盖的部分)以外的Ag膜。然后，通过利用有机溶剂去除光致抗蚀剂，形成线圈导体层20、中继导体层21a、22b、26a、27b以及引出导体30、36a。

接下来，对绝缘体层18b的整个面涂覆作为感光性树脂的聚酰亚胺树脂来形成未固化的树脂层。对与绝缘体层18a的切口部c1、c3以及通孔H1、H2对应的位置进行遮光，针对未固化的树脂层进行曝光。由此，未被遮光的部分的未固化的树脂层固化。然后，通过有机溶剂去除光致抗蚀剂，并且进行显影，去除未固化的树脂层。并且，通过加热剩余的树脂层，使剩余的树脂层热固化。由此，形成绝缘体层18a。

接下来，通过溅射法在绝缘体层18a上形成Ag膜。接下来，在Ag膜中的形成中继导体层22a、27a以及引出导体32、36b的部分上形成光致抗蚀剂。然后，通过蚀刻法去除形成中继导体层22a、27a以及引出导体32、36b的部分(即被光致抗蚀剂覆盖的部分)以外的Ag膜。然后，通过利用有机溶剂去除光致抗蚀剂来形成中继导体层22a、27a以及引出导体32、36b。通过以上的工序，完成母层叠体114。

接下来，通过有机系粘合剂层19在母层叠体114上粘合母基板112b。由此，能够得到图4A所示的母主体110。

接下来，如图4B所示，对母基板112a的下侧的主表面进行磨削或者研磨。

接下来，如图4C所示，进行母层叠体114内的线圈L1、L2的位置对齐，在母基板112a的下侧的主表面上形成光致抗蚀剂M1。光致抗蚀剂M1在形成切口部Ca～Cd的区域具有开口。

接下来，如图5A所示，经由光致抗蚀剂M1通过喷砂法针对母基板112a在应形成切口部Ca～Cd的位置形成贯通孔(第三工序的一个例子)。如图8所示，贯通孔在从上侧观察时贯通母基板112a以及绝缘体层18c中的与中继导体层21b、22c、26b、27c重叠的部分。由此，在中继导体21、22、26、27的各中继导体中位于最下侧的中继导体层21b、22c、26b、27c的下侧的面的一部分在贯通孔(切口部Ca～Cd)露出。应予说明，贯通孔除可以通过喷砂法形成以外，也可以通过激光加工法来形成，还可以通过喷砂法以及激光加工法的组合来形成。

接下来，如图5B所示，通过有机溶剂去除光致抗蚀剂M1。

接下来，如图5C所示，针对母主体110的下侧的主表面的整个面，通过溅射法按以下顺序形成Ti薄膜150以及Cu薄膜152。

接下来，如图6A所示，将Ti薄膜150以及Cu薄膜152作为供电膜使用，并通过电场镀敷方法形成镀Cu膜154。

接下来，如图6B所示，通过湿式蚀刻、磨削、研磨、CMP等，去除形成在贯通孔以外的部分的Ti薄膜150、Cu薄膜152以及镀Cu膜154。由此，母主体110的下侧的主表面被平坦化。通过利用图5C至图6B的工序，在贯通孔的内周面形成导体层，形成连接部16a～16d(即外部电极15a～15d的一部分)(第四工序的一个例子)。

接下来，如图6C所示，在母主体110的下侧的主表面的整个面通过溅射法形成Ti膜、Cu膜、Ni膜以及Au膜从下层向上层按该顺序层叠而成的导体层156。

接下来，如图6D所示，在母主体110的下侧的主表面上形成光致抗蚀剂M2。光致抗蚀剂M2覆盖形成底面部17a～17d的部分。

接下来，如图7A所示，通过蚀刻法去除被光致抗蚀剂M2覆盖的部分以外的导体层156。然后，如图7B所示，通过有机溶剂去除光致抗蚀剂M2。由此，形成底面部17a～17d(外部电极15a～15d的一部分)。

接下来，如图7C所示，对母基板112b的上侧的主表面进行磨削或者研磨。

接下来，如图7D所示，通过切割机切割母主体110(母基板112a)，得到多个电子部件10(第五工序的一个例子)。在图7D的工序中，使切割机通过贯通孔内的Ti薄膜150、Cu薄膜152以及镀Cu膜154。由此，Ti薄膜150、Cu薄膜152以及镀Cu膜154被分割成连接部16a～16d。然后，也可以针对电子部件10进行滚磨，实施倒角。另外，在外部电极15a～15d的表面进行滚磨后，为了提高焊料湿润性，也可以实施镀Ni以及镀Sn。

(效果)

根据本实施方式所涉及的电子部件10，能够抑制设置在磁性体基板12a上的层叠体14的中继导体21、22、26、27从层叠体14脱落。以下，参照图3B以中继导体26为例进行说明。

在电子部件510中，由于以下的理由，引出部521a、521b容易从层叠体514脱落。更加详细而言，如图11所示，引出部521b直接形成于磁性体基板512a的上表面。磁性体基板512a比较硬。因此，引出部521b相对于磁性体基板512a的紧贴性比较低。因此，若冲击施加至电子部件510，则存在在引出部521b与磁性体基板512a之间产生剥离，引出部521a、521b从层叠体514脱落的可能性。

因此，电子部件10具有以下的构造。绝缘体层18b呈角C3因切口部c6而缺损的形状。中继导体26设置于绝缘体层18b的切口部c6。并且，绝缘体层18c从下侧与中继导体层26b接触。通过具有以上的构造，中继导体26的下端与绝缘体层18c接触。绝缘体层18c的材料是树脂。因此，绝缘体层18c与磁性体基板12a、512a相比较柔软。因而，中继导体26相对于绝缘体层18c的紧贴性比引出部521b相对于磁性体基板512a的紧贴性高。并且，由于绝缘体层18c较柔软，因此，能够随着由中继导体26的热引起的膨胀、收缩、由来自外部的冲击引起的变形而变形。因此，中继导体26与绝缘体层18c之间的剥离与引出部521b与磁性体基板512a之间的剥离相比，不易产生。结果，在电子部件10中，抑制中继导体26从层叠体14脱落。

并且，在电子部件10中，抑制在线圈L1、L2与中继导体21、22、26、27之间产生断线。以下，以线圈L2与中继导体26的断线为例进行说明。

在将电子部件510安装于电路基板时，电路基板的焊盘电极与外部电极515a通过焊料固定。此时，若从焊料对外部电极515a施加应力。则这样的应力成为使引出部521b与磁性体基板512a之间产生剥离的原因。并且，若在引出部521b与磁性体基板512a之间产生剥离，则引出部521a、521b相对于层叠体514活动，存在在线圈L1与引出部521a、521b之间产生断线的可能性。

因此，在电子部件10中，如上述那样，绝缘体层18c从下侧与中继导体26接触。中继导体26相对于绝缘体层18c的紧贴性比较高。因此，不易产生中继导体26与绝缘体层18c之间的剥离。结果，抑制中继导体26在层叠体14活动，抑制在中继导体26与线圈L2之间产生断线。

在此，如图3C所示，将从上侧观察时的中继导体层26b的面积设为面积A1。另外，将从上侧观察时的中继导体层26b与绝缘体层18c接触的部分的面积设为面积A2。应予说明，在图3C中，面积A1、A2分别是被单点划线围起的区域的面积。其中，在图3中，为了容易观察区域，将单点划线与中继导体26的外边缘以及切口部cc的外边缘略微错开而描绘。优选面积A2相对于面积A1的比的值X是0.42以上0.82以下。通过面积A2相对于面积A1的比的值X在上述范围内，中继导体层26b与绝缘体层18c稳固地紧贴。以下，对值X的范围的根据进行说明。

首先，本发明者作为实施例实际制造了电子部件1。在实施例中，通过分配中继导体层26b的面积A1与切口部cc的面积，将值X设定为一定的范围。具体而言，首先，在值X最小的实施例中，使面积A1为0.00156mm²，使切口部cc的面积为0.00090mm²。此时，中继导体层26b与绝缘体层18c接触的部分的面积A2是0.00066mm²，值X大约为0.42。接下来，在值X最大的实施例中，使面积A1为0.00169mm²，使切口部cc的面积为0.00030mm²。此时，中继导体层26b与绝缘体层18c接触的部分的面积A2为0.00139mm²，值X大约为0.82以下。

在这些实施例中，在制造时的切割工序以及划线工序中不产生中继导体26的脱落。由此可知，在值X为0.42以上0.82以下的情况下，不产生制造时的中继导体26的脱落，因此优选。

但是，在电子部件1中，若如上述那样，中继导体26和与磁性体基板12a相比紧贴性较高的绝缘体层18c至少接触，则能够降低中继导体26的脱落，因此，值X也可以是0.42以上0.82以下的范围外的值，尤其不妨碍超过上限值。基于相同的理由，在电子部件10中，抑制中继导体21、22、27从层叠体14脱落。

另外，根据电子部件10，基于以下的理由也能够抑制设置于磁性体基板12a上的层叠体14的中继导体21、26从层叠体14脱落。以下，参照图3B以中继导体26为例进行说明。

更加详细而言，在电子部件10中，绝缘体层18a(第三绝缘体层的一个例子)从上侧与中继导体26接触。由此，通过与中继导体26的紧贴性较高的绝缘体层18a，中继导体26的上端也被保持于层叠体14。结果，在电子部件10中，抑制中继导体26从层叠体14脱落。基于相同的理由，抑制中继导体21从层叠体14脱落。

另外，根据电子部件10，能够得到具有较高的阻抗的共模扼流线圈。更加详细而言，在电子部件10中，磁性体基板12a呈连接主表面S1、S2的4根棱线因切口部Ca～Cd而缺损的形状。连接底面部17a～17d与中继导体21、22、26、27每一个的连接部16a～16d设置于切口部Ca～Cd。由此，连接部16a～16d设置于在从上侧观察时距磁性体基板12a的中心最远的位置。即，连接部16a～16d设置于在从上侧观察时磁性体基板12a中距线圈L1、L2最远的位置。结果，抑制线圈L1、L2产生的磁通量被连接部16a～16d妨碍。因而，在电子部件10中，能够得到具有较高的阻抗的共模扼流线圈。

另外，在电子部件10中，线圈导体层20、25在从上侧观察时不与连接部16a～16d重叠。由此，抑制连接部16a～16d位于线圈L1、L2产生的磁通量的磁路上。结果，在电子部件10中，线圈L1、L2的电感值增大，由线圈L1、L2构成的共模扼流线圈的阻抗增大。

另外，在电子部件10中，线圈导体层20、25在从上侧观察时不与连接部16a～16d重叠。由此，抑制在线圈导体层20、25与连接部16a～16d之间产生电容。结果，在电子部件10中，高频区域的噪声的去除性能得到提高。

另外，在电子部件10中，内置线圈L1、L2的层叠体14被磁性体基板12a、12b夹着。由此，线圈L1、L2产生的磁通量通过磁性体基板12a、12b。结果，线圈L1、L2的电感值增大，由线圈L1、L2构成的共模扼流线圈的阻抗增大。

另外，在电子部件10中，由于内置线圈L1、L2的层叠体14被磁性体基板12a、12b夹着，因此，线圈L1、L2的电感值增大。由此，即使线圈导体层20、25的匝数较少，线圈L1、L2也具有足够的电感值。结果，实现线圈导体层20、25的小型化，实现电子部件10的小型化。

另外，在电子部件10中，线圈L2的电感值增大，由线圈L1、L2构成的共模扼流线圈的阻抗增大。以下，以外部电极15d以及中继导体27为例进行说明。

在电子部件10中，如以下说明那样，能够减少在线圈导体层25产生的寄生电容。更加详细而言，线圈导体层25与中继导体层21b、22c、27c以及连接部16a～16d对置。因此，在线圈导体层25与中继导体层21b、22c、27c以及连接部16a～16d之间产生寄生电容。其中，对于形成在线圈导体层25与中继导体层21b、22c、27c之间的寄生电容，通常将电子部件10设计为该寄生电容成为没有问题的大小。因此，如图3A以及图3D所例示的那样，线圈导体层25与连接部16a～16d的最短距离D1分别比线圈导体层25与中继导体层21b、22c、26b、27c的最短距离D2长。由此，形成在线圈导体层25与连接部16c之间的寄生电容也成为没有问题的大小。结果，能够减少在线圈导体层25产生的寄生电容。

另外，在电子部件10中，从上侧观察切口部Ca～Cd的面积随着从主表面S2靠近主表面S1而减小。由此，设置于切口部Ca～Cd的连接部16a～16d与中继导体21、22、26、27接触的部分的面积也较小。因而，能够使中继导体21、22、26、27的面积减小。结果，能够使用于形成线圈导体层20、25的区域增大，能够不使电子部件10大型化而能够使线圈L1、L2的电感值增大。另外，在上述构成中，中继导体26与连接部16c接触的部分的面积较小，因此，能够不使中继导体26的面积增大而使中继导体26与绝缘体层18c接触的面积增大。结果，能够进一步提高中继导体26与绝缘体层18c的紧贴性。

另外，如图3B所示，在电子部件10中，形成切口部Ca～Cd的面相对于主表面S2呈钝角θ。由此，形成切口部Ca～Cd的面呈远离线圈导体层25的形状。因此，抑制切口部Ca～Cd(即连接部16a～16d)位于线圈导体层25产生的磁通量的磁路上。结果，在电子部件10中，线圈L2的电感值增大，由线圈L1、L2构成的共模扼流线圈的阻抗增大。

另外，由于形成切口部Ca～Cd的面相对于主表面S2呈钝角θ，形状的不连续性被缓和，因而因磁性体基板12a与底面部17a～17d以及连接部16a～16d与用于安装的焊料之间的热膨胀系数的差而产生的应力集中被缓和。

(电子部件的变形例)

以下，参照附图对变形例所涉及的电子部件10a进行说明。图9A是变形例所涉及的电子部件10a的外观立体图。图9B是变形例所涉及的电子部件10a的剖面构造图。

电子部件10a在外部电极15a～15d的形状上与电子部件10不同。以下，以外部电极15c为例进行说明。由于外部电极15a、15b、15d是与外部电极15c为相同的构造，因此省略说明。

外部电极15c包括连接部16c以及底面部17c。在电子部件10a中，在磁性体基板12a未设置有切口部Cc。并且，连接部16c沿上下方向延伸成覆盖磁性体基板12a的右后侧的棱线。另外，连接部16c的上端到达层叠体14，与中继导体26连接。底面部17c设置于主表面S2的右后侧的角附近，呈长方形形状。底面部17c与连接部16c的下端连接。

如上所述那样，对于外部电极15c，也可以不设置为覆盖切口部Cc的内周面。

在如上所述那样构成的电子部件10a中，与电子部件10相同，也能够抑制设置于磁性体基板12a上的层叠体14的中继导体21、22、26、27从层叠体14脱落。

(电子部件的制造方法的变形例)

接下来，对电子部件10b的制造方法的变形例进行说明。在电子部件10中，相对于绝缘体层18a～18c的材料为以绝缘性树脂为主要成分的材料，在电子部件10b中，绝缘体层18a～18c的材料是包括玻璃陶瓷的材料(包括玻璃的材料的一个例子)。尤其在电子部件10b中，绝缘体层18a～18c的材料是以玻璃陶瓷为主要成分的材料。因此，电子部件10b的制造方法在母层叠体114的形成工序上与电子部件10的制造方法不同。以下，以这些不同点(母层叠体114的形成工序)为中心对电子部件10b的制造方法进行说明。

首先，对母层叠体114的形成工序的概要进行说明。首先，在母基板112a的主表面S1上通过包括玻璃陶瓷的材料形成应成为绝缘体层18a～18c的多个膏层，并且交替地形成线圈L1、L2以及应成为中继导体21、22、26、27的中继导体层21a、21b、22a～22c、26a、26b、27a～27c，形成未烧制的母层叠体114(第一工序的一个例子)。接下来，烧制未烧制的母层叠体114(第二工序的一个例子)。经由以上的2个工序，形成母层叠体114。以下，对母层叠体114的形成工序更加详细地进行说明。

首先，在烧制完毕的母基板112a的主表面S1的整个面涂覆热固化性的玻璃膏，形成应成为绝缘体层18c(第二绝缘体层的一个例子)的膏层(第一膏层的一个例子)。然后，对应成为绝缘体层18c的膏层进行加热及干燥。干燥时的温度例如是60℃～80℃左右。在干燥中，应成为绝缘体层18c的膏层稍稍固化，但依然保持未固化的状态。

接下来，通过溅射法在应成为绝缘体层18c的膏层上形成Ag膜。接下来，在Ag膜中的形成线圈导体层25、中继导体层21b、22c、26b、27c(应成为中继导体的一部分的导体层的一个例子)以及引出导体34的部分上形成光致抗蚀剂。然后，通过蚀刻法去除形成线圈导体层25、中继导体层21b、22c、26b、27c以及引出导体34的部分(即被光致抗蚀剂覆盖的部分)以外的Ag膜。然后，通过有机溶剂去除光致抗蚀剂。由此，线圈导体层25、中继导体层21b、22c、26b、27c以及引出导体34形成在应成为绝缘体层18c的膏层上。

接下来，通过丝网印刷在应成为绝缘体层18c的膏层上涂覆热固化性的玻璃膏，形成应成为绝缘体层18b的膏层。在用于丝网印刷的丝网版上，在除切口部c2、c4～c6以及通孔H3以外的部分设置有开口。由此，在应成为绝缘体层18b的膏层形成切口部c2、c4～c6以及通孔H3。并且，对应成为绝缘体层18b的膏层进行加热及干燥。干燥时的温度例如是60℃～80℃左右。在干燥中，应成为绝缘体层18b的膏层稍稍固化，但依然保持未固化的状态。

接下来，通过溅射法在应成为绝缘体层18b的膏层上形成Ag膜。接下来，在Ag膜中的形成线圈导体层20、中继导体层21a、22b、26a、27b以及引出导体30、36a的部分上形成光致抗蚀剂。然后，通过蚀刻法去除形成线圈导体层20、中继导体层21a、22b、26a、27b以及引出导体30、36a的部分(即被光致抗蚀剂覆盖的部分)以外的Ag膜。然后，通过利用有机溶剂去除光致抗蚀剂，形成线圈导体层20、中继导体层21a、22b、26a、27b以及引出导体30、36a。

接下来，通过丝网印刷在应成为绝缘体层18b的膏层上涂覆热固化性的玻璃膏，形成应成为绝缘体层18a的膏层。在用于丝网印刷的丝网版上，在除切口部c1、c3以及通孔H1、H2以外的部分设置有开口。由此，在应成为绝缘体层18a的膏层形成切口部c1、c3以及通孔H1、H2。并且，对应成为绝缘体层18a的膏层进行加热及干燥。干燥时的温度例如是60℃～80℃左右。在干燥中，应成为绝缘体层18a的膏层稍稍固化，但依然保持未固化的状态。

接下来，通过溅射法在绝缘体层18a上形成Ag膜。接下来，在形成中继导体层22a、27a以及引出导体32、36b的部分上形成光致抗蚀剂。然后，通过蚀刻法去除形成中继导体层22a、27a以及引出导体32、36b的部分(即被光致抗蚀剂覆盖的部分)以外的Ag膜。然后，通过利用有机溶剂去除光致抗蚀剂，形成中继导体层22a、27a以及引出导体32、36b。通过以上的工序，完成未烧制的母层叠体114。

接下来，烧制未烧制的母层叠体114。烧制时的温度比干燥时的温度高，大约1000℃。由此，膏层固化，完成烧制完毕的母层叠体114。

根据以上那样的电子部件10b及其制造方法，抑制中继导体21、22、26、27从层叠体14脱落。以下，以中继导体26为例进行说明。

绝缘体层18c的材料是包括玻璃的材料。由包括玻璃的材料构成的绝缘体层18c与由包括树脂的材料构成的绝缘体层18c相比较硬。因此，假设在由包括玻璃的材料构成的烧制完毕的绝缘体层18c上形成中继导体层26b的情况下，中继导体层26b与由包括玻璃的材料构成的绝缘体层18c的紧贴性比中继导体层26b与由包括树脂的材料构成的绝缘体层18c的紧贴性低。

其中，在绝缘体层18a～18c的材料为包括玻璃的材料的情况下，在形成未烧制的母层叠体114后，需要烧制该未烧制的母层叠体114的工序。即，不需要在由包括玻璃的材料构成的烧制完毕的绝缘体层18c上形成中继导体层26b。由此，中继导体层26b跟膏层一同被烧制。因此，中继导体层26b与应成为绝缘体层18c的膏层稳固地紧贴。基于以上的理由，根据电子部件10b及其制造方法，抑制中继导体26从层叠体14脱落。

应予说明，应成为绝缘体层18a、18b的膏层通过丝网印刷形成，但例如也可以通过光蚀刻法来形成。另外，切口部c1～c6以及通孔H1～H3例如也可以通过照射激光束来形成。

(其它实施方式)

本发明所涉及的电子部件及其制造方法并不局限于上述电子部件10、10a、10b及其制造方法，能够在其主旨的范围内进行变更。

也可以任意地组合电子部件10、10a、10b及其制造方法的构成。

应予说明，在电子部件10、10a、10b中，设置连接部16a～16d内的至少一个即可。

应予说明，在电子部件10、10a、10b的制造方法中，线圈导体层20、25、引出导体30、32，34、36a、36b以及中继导体层21a、21b、22a～22c、26a、26b、27a～27c也可以通过丝网印刷、蒸镀、镀敷等来形成。

应予说明，磁性体基板12a、12b是已烧制的陶瓷基板即可。因此，也可以代替磁性体基板12a、12b，使用以非磁性铁氧体为材料的陶瓷基板、以非磁性氧化铝为材料的陶瓷基板等。

应予说明，电子部件10、10a、10b具备至少1个以上的线圈即可。因此，电子部件10、10a、10b也可以不具备共模扼流线圈。另外，电子部件10、10a、10b除线圈外，也可以具备电容器、电阻等其它的电路元件，这些电路元件例如也可以构成滤波器等电路。该情况下，在线圈L1与中继导体21、22之间存在线圈L1以外的电路元件。因此，线圈L1与中继导体21、22电连接即可，无需物理性地直接连接。

应予说明，在电子部件10、10a、10b中，中继导体21、22、26、27的上端也可以与磁性体基板12b直接接触。

应予说明，中继导体层21a、21b、22a～22c、26a、26b、27a～27c在从上侧观察时呈等腰直角三角形状，但也可以是长方形形状等其它的形状。

应予说明，也可以不设置有机系粘合剂层19。

应予说明，线圈L1、L2设置在层叠体14内，但设置于层叠体14即可。因此，线圈L1、L2的一部分可以设置在层叠体14的表面上，或从层叠体14露出在外部。

层叠体14的总数不限于3层。另外，线圈导体层20、25的层数也不限于2层。并且，外部电极15a～15d的个数也不限于4个，例如，也可以是2个。

应予说明，设置4个中继导体21、22、26、27，但中继导体21、22、26、27的个数也不限于4个，设置中继导体21、22、26、27内的至少任意一个即可。该情况下，中继导体21、22、26、27内的至少任意一个为第一中继导体的一个例子。

另外，绝缘体层18c从下侧与中继导体21、22、26、27的全部接触，但从下侧与中继导体21、22、26、27内的至少一个接触即可。

如上所述那样，本发明对电子部件及其制造方法有用，尤其是在能够抑制设置于陶瓷基板上的层叠体的中继导体从层叠体脱落这一方面较优异。

附图标记说明：10、10a、10b…电子部件；12a、12b…磁性体基板；14…层叠体；15a～15d…外部电极；18a～18c…绝缘体层；19…有机系粘合剂层；20、25…线圈导体层；21、22、26、27…中继导体；21a、21b、22a～22c、26a、26b、27a～27c…中继导体层；110…母主体；112a、112b…母基板；114…母层叠体；C1～C4…角；Ca～Cd、c1～c6、ca～cd…切口部；L1、L2…线圈；S1、S2…主表面。