1.一种衬底处理装置，具有：
衬底支承部，其设置有加热衬底的第一加热部，
气体供给部，其设置于所述衬底支承部的上侧，对所述衬底供给处理气体，
第一排气口，其对所述衬底支承部上的处理空间的气氛进行排气，
气体分散部，其与所述衬底支承部相对地设置，
盖部，其设置有第二排气口，所述第二排气口对所述气体供给部和所述气体分散部之间的缓冲空间进行排气，
气体整流部，其设置于所述缓冲空间内，具有至少一部分与所述第二排气口相对的第二加热部，并且对所述处理气体进行整流，以及
控制部，其控制所述第二加热部。
2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
所述第二加热部分割为多个区域，
所述控制部以如下方式控制所述第二加热部：使与所述第二排气口相对的区域的温度高于其他区域的温度。
3.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
所述控制部以如下方式控制所述第二加热部：
使所述气体分散部的所述缓冲空间侧的面的温度与所述气体分散部的所述处理空间侧的面的温度相同。
4.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，
所述控制部以如下方式控制所述第二加热部：
使所述气体分散部的所述缓冲空间侧的面的温度与所述气体分散部的所述处理空间侧的面的温度相同。
5.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
在所述盖部设置有第三加热部，
所述控制部以成为所述处理气体不会吸附于所述盖部的温度的方式控制所述第三加热部。
6.如权利要求4所述的衬底处理装置，其中，
在所述盖部设置有第三加热部，
所述控制部以成为所述处理气体不会吸附于所述盖部的温度的方式控制所述第三加热部。
7.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，在所述盖部的外周部和所述气体分散部的外周部之间设置隔热部。
8.如权利要求4所述的衬底处理装置，其中，在所述盖部的外周部和所述气体分散部的外周部之间设置隔热部。
9.如权利要求5所述的衬底处理装置，其中，在所述盖部的外周部和所述气体分散部的外周部之间设置隔热部。
10.如权利要求1所述的衬底处理装置，所述第二加热部的外周端构成为位于比所述衬底的外周端更靠近外侧。
11.如权利要求7所述的衬底处理装置，所述第二加热部的外周端构成为位于比所述衬底的外周端更靠近外侧。
12.如权利要求8所述的衬底处理装置，所述第二加热部的外周端构成为位于比所述衬底的外周端更靠近外侧。
13.一种半导体器件的制造方法，包括：
向设置有第一加热部的衬底支承部搬送衬底的工序，
通过所述第一加热部加热所述衬底的工序，
从第一排气口对所述衬底支承部上的处理空间的气氛进行排气的工序，
自设置于所述衬底支承部的上侧的气体供给部，经由与所述衬底支承部相对设置的气体分散部和设置于所述气体分散部上的气体整流部，向所述衬底供给处理气体的工序，
自在设于所述气体分散部上的盖部上所设置的第二排气口，对所述气体供给部和所述气体分散部之间的缓冲空间的气氛进行排气的工序，
通过设置于与所述第二排气口相对的位置、且设置于所述气体整流部的第二加热部，加热所述气体整流部的工序。
14.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，包括：
所述第二加热部分割为多个区域，
以与所述第二排气部的排气口相对的区域的温度高于其他区域的温度的方式，进行加热的工序。
15.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，包括：
通过所述第二加热部以使所述气体分散板的所述缓冲空间侧的面的温度与所述气体分散部的所述处理空间侧的面的温度相同的方式，对所述气体分散部进行加热的工序。
16.如权利要求14所述的半导体器件的制造方法，包括：
通过所述第二加热部以使所述气体分散板的所述缓冲空间侧的面的温度与所述气体分散部的所述处理空间侧的面的温度相同的方式，对所述气体分散部进行加热的工序。
17.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，包括：
通过设置于所述盖部的第三加热部对所述盖部进行加热，以使得所述处理气体不吸附于所述盖部的工序。
18.如权利要求15所述的半导体器件的制造方法，包括：
通过设置于所述盖部的第三加热部对所述盖部进行加热，以使得所述处理气体不吸附于所述盖部的工序。
19.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，包括：
在将所述衬底向所述衬底支承部搬送的工序之后，
在将所述衬底支承部移动至处理位置时，供给通过所述第二加热部加热后的非活性气体的工序。
20.如权利要求16所述的半导体器件的制造方法，包括：
在将所述衬底向所述衬底支承部搬送的工序之后，
在将所述衬底支承部移动至处理位置时，供给通过所述第二加热部加热后的非活性气体的工序。