技术总结
本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。提高对衬底的处理均一性。具有：衬底支承部，其设置有加热衬底的第一加热部；气体供给部，其设置于所述衬底支承部的上侧，对所述衬底供给处理气体；第一排气口，其对所述衬底支承部上的处理空间的气氛进行排气；气体分散部，其与所述衬底支承部相对地设置；盖部，其设置有第二排气口，并且对所述气体供给部和所述气体分散部之间的缓冲空间进行排气；气体整流部，其设置于所述缓冲空间内，具有至少一部分与所述第二排气口相对的第二加热部，并且对所述处理气体进行整流。
技术研发人员：丰田一行;山本哲夫
受保护的技术使用者：株式会社日立国际电气
文档号码：201611091707
技术研发日：2016.12.01
技术公布日：2017.06.09