1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括如下步骤：
(a)设置半导体装置，所述半导体装置具有半导体芯片和多个外端子，每个半导体芯片都具有半导体集成电路，所述多个外端子中的每个都电耦接到所述半导体集成电路；以及
(b)使得探针引脚接触所述外端子中的每个，以测量所述半导体集成电路的电气特性，
所述探针引脚包括：
(i)中空构造的第一柱塞，所述第一柱塞构成所述探针引脚的上部，并且具有与所述外端子接触的接触部；
(II)中空构造的第二柱塞，所述第二柱塞与所述第一柱塞分离且构成探针引脚的下部，并且在与所述第一柱塞相对的一侧的端部处具有底部；
(iii)清洁轴，所述清洁轴容纳在所述第一柱塞的内部，并且部分地从所述接触部的尖端突出；
(iv)第一线圈弹簧，所述第一线圈弹簧缠绕在所述第一柱塞的外侧面上和所述第二柱塞的外侧面上，并且将所述第一柱塞电耦接到所述第二柱塞；以及
(v)第二线圈弹簧，所述第二线圈弹簧容纳在所述第一柱塞的内部和所述第二柱塞的内部，同时被保持在所述清洁轴和所述第二柱塞的底部之间，
其中在所述清洁轴的部分进出通过所述接触部的尖端时，去除附着到所述接触部的尖端的异物。
2.根据权利要求1所述的方法，其中当所述外端子不与所述探针引脚接触时，所述清洁轴的部分从所述接触部的尖端突出。
3.根据权利要求1所述的方法，
其中当所述外端子不与所述探针引脚接触时，所述清洁轴的部分从所述接触部的尖端突出，以及
其中当从所述接触部的尖端突出的所述清洁轴的所述部分被从所述接触部的尖端推入所述第一柱塞的内部中时，所述清洁轴的所述部分与所述接触部的内侧面接触。
4.根据权利要求1所述的方法，其中当所述外端子电耦接到所述探针引脚时，所述清洁轴不从所述接触部的尖端突出。
5.根据权利要求1所述的方法，步骤(b)进一步包括如下步骤：
(b1)设置具有所述探针引脚的测量插座，其中所述探针引脚每个都具有部分地从所述接触部的尖端突出的所述清洁轴，并且在各个外端子与所述探针引脚相对的同时将半导体装置插入测量插座中；
(b2)按压所述半导体装置以使得所述外端子的每个与从所述接触部的尖端突出的所述清洁轴接触；
(b3)按压所述半导体装置以压缩所述第二线圈弹簧，由此将从所述接触部的尖端突出的所述清洁轴的部分推入所述第一柱塞中；
(b4)按压所述半导体装置以压缩所述第一线圈弹簧和所述第二线圈弹簧，由此将所述外端子电耦接到所述接触部的尖端以测量所述半导体装置的电气特性；以及
(b5)停止按压所述半导体装置以将所述外端子与所述接触部的尖端分开，并且由此释放所述第一线圈弹簧和所述第二线圈弹簧的压缩以允许所述清洁轴的所述部分从所述接触部的尖端突出。
6.根据权利要求5所述的方法，其中在步骤(b3)中，去除附着到所述接触部的尖端的异物。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一线圈弹簧的第一弹簧压力比所述第二线圈弹簧的第二弹簧压力高。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二线圈弹簧没有被固定到所述清洁轴和所述第二柱塞的底部。
9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一柱塞的内侧面和所述清洁轴的外侧面之间设置4到6μm的间隙。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一柱塞、所述第二柱塞和所述第一线圈弹簧每个都包括导电材料，并且所述清洁轴包括导电材料和绝缘材料之一。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一柱塞包括镀敷金的不锈钢和铂合金之一，并且所述清洁轴包括不锈钢。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一柱塞的接触部具有有着分裂形状的尖端，并且所述尖端的每个顶点都具有锐角。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一柱塞的接触部具有在所述探针引脚被推动的方向上凹陷的圆锥形尖端。
14.根据权利要求1所述的方法，其中在所述清洁轴的外侧面上在所述探针引脚被推动的方向上交替且反复地设置突起和凹陷。
15.根据权利要求1所述的方法，其中多个研磨颗粒嵌在所述清洁轴的外侧面中。