1.一种DARC薄膜的低温沉积方法，适用于在晶元表面最上方的BARC层上形成DARC层；其特征在于，提供一等离子体增强化学气相沉积反应器，所述等离子体增强化学气相沉积反应器内设有反应基座，所述反应基座用于承载所述晶元，所述方法包括：
步骤S1、向所述等离子体增强化学气相沉积反应器内输入用于生成所述DARC层的反应物；
步骤S2、所述晶元在所述反应基座上按照第一预设参数进行预沉积操作；
步骤S3、在完成所述预沉积操作后的所述晶元表面按照第二预设参数进行主沉积操作；
步骤S4、在完成所述主沉积操作的所述晶元表面按照第三预设参数进行后沉积操作以形成所述DARC层。
2.根据权利要求1所述的低温沉积方法，其特征在于，所述反应物包括SiH4气体、N2O气体以及N2气体。
3.根据权利要求1所述的低温沉积方法，其特征在于，所述第一预设参数包括：
所述等离子体增强化学气相沉积反应器内的温度为210℃；
所述等离子体增强化学气相沉积反应器内的压强为1.7Torr；
所述预沉积操作的时间为1S；
高频功率源的功率值为594W；
反应物SiH4气体的流速为720sccm；
反应物N2O气体的流速为400sccm；
反应物N2气体的流速为8800sccm。
4.根据权利要求1所述的低温沉积方法，其特征在于，所述第二预设参数包括：
所述等离子体增强化学气相沉积反应器内的温度为210℃；
所述等离子体增强化学气相沉积反应器内的压强为1.7Torr；
所述主沉积操作的时间为2.91S；
高频功率源的功率值为594W；
反应物SiH4气体的流速为720sccm；
反应物N2O气体的流速为400sccm；
反应物N2气体的流速为8800sccm。
5.根据权利要求1所述的低温沉积方法，其特征在于，所述第三预设参数包括：
所述等离子体增强化学气相沉积反应器内的温度为210℃；
所述等离子体增强化学气相沉积反应器内的压强为1Torr；
所述后沉积操作的时间为3.5S；
高频功率源的功率值为594W；
反应物SiH4气体的流速为720sccm；
反应物N2O气体的流速为400sccm；
反应物N2气体的流速为8800sccm。
6.根据权利要求1所述的低温沉积方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积反应器上设有第一输入口和第一输出口，所述第一输入口用于输入所述反应物，所述第一输出口用于输出DARC薄膜生成过程中产生的副产物。
7.根据权利要求1所述的低温沉积方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积反应器上设有第二输入口和第二输出口，所述第二输入口用于输入所述晶元，所述第二输出口用于输出所述晶元。
8.一种DARC薄膜的低温沉积方法，适用于在晶元表面的BARC层上形成DARC层；其特征在于，提供一等离子体增强化学气相沉积反应器，所述等离子体增强化学气相沉积反应器内设有复数个所述反应基座，所述方法包括：
步骤A1、将所述晶元顺序输送至每个所述反应基座并在在每个所述反应基座上分别进行所述权利要求1-7中所述的沉积方法以形成所述DARC层。
9.根据权利要求8所述的低温沉积方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积反应器内的所述反应基座的数量为四个，且所述四个反应基座均匀布设在所述等离子体增强化学气相沉积反应器的中心周围，且两两所述反应基座之间关于所述等离子体增强化学气相沉积反应器的中心呈中心对称分布。
10.根据权利要求9所述的低温沉积方法，其特征在于，所述晶元在每个所述反应基座上的沉积时间相同。