技术总结
本发明提供一种DARC薄膜的低温沉积方法，适用于在晶元表面最上方的BARC层上形成DARC层；提供一等离子体增强化学气相沉积反应器，等离子体增强化学气相沉积反应器内设有反应基座，方法包括：向等离子体增强化学气相沉积反应器内输入用于生成DARC层的反应物；晶元在反应基座上按照第一预设参数进行预沉积操作；在完成预沉积操作后的晶元表面按照第二预设参数进行主沉积操作；在完成主沉积操作的晶元表面按照第三预设参数进行后沉积操作以形成DARC层。本发明的有益效果：在低温下于晶元表面的BARC层上形成DARC层，且能够提高柔性薄膜BARC层上的DARC层成膜的平整度，显著降低DARC层薄膜的表面缺陷，有利于后期在晶元的DARC层上生成PR层。
技术研发人员：张高升;曾庆锴;胡淼龙;蒋志超;万先进
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
文档号码：201611219771
技术研发日：2016.12.26
技术公布日：2017.05.31