技术特征：
技术总结
本发明实施例提供了具有密封环结构的集成电路结构。密封环结构包括低k介电层、第一密封环和第二密封环。第一密封环和第二密封环彼此隔开。第一密封环和第二密封环的每个包括金属层。金属层嵌入在低k介电层中，并且金属层包括具有多个开口的主体图案。第一密封环和第二密封环的主体图案与金属层的面积比大于或等于50％且小于100％。本发明实施例涉及集成电路结构和密封环结构。
技术研发人员：梁世纬;杜贤明;杨庆荣;黄章斌;赖昱嘉
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.27
技术公布日：2017.08.15