一种LED芯片的图形化基板结构及其制备方法与流程

技术特征：

1.一种用于LED芯片的图形化基板结构，包括第一区域(A)和第二区域(B)，所述的第一区域(A)位于所述图形化基板结构的正中位置，用于放置所述LED芯片；

所述的第二区域(B)环绕着第一区域(A)，其中分布有凹坑群，所述的凹坑群由多个凹坑结构组成，所述的凹坑结构内表面覆盖有反射层，用于反射所述LED芯片有源区的出射光线。

2.根据权利要求1所述的一种LED芯片的图形化基板结构，其特征在于，所述的基板为硅基板、氮化铝基板或PCB基板。

3.根据权利要求1所述的一种LED芯片的图形化基板结构，其特征在于，所述凹坑结构的俯视形状为矩形、圆形或多边形。

4.根据权利要求1所述的一种LED芯片的图形化基板结构，其特征在于，所述凹坑结构的为倒锥台结构或倒锥体结构。

5.根据权利要求4所述的一种LED芯片的图形化基板结构，其特征在于，所述的倒锥体结构是底部边长为x，锥高为的倒金字塔型结构。

6.根据权利要求1所述的一种LED芯片的图形化基板结构，其特征在于，所述凹坑结构的内表面和反射层之间还包括一层绝缘层。

7.一种LED芯片的图形化基板结构的制备方法，包括以下步骤：

S1、在基板正面和背面上分别制备正面保护层和背面保护层，进行图形化处理；

S2、使用湿法化学腐蚀在图形化处理的基板上制备凹坑结构；

S3、在凹坑结构内表面依次制备绝缘层、反射层。