1.一种芯片级LED封装结构，其特征在于，包括发光芯片，所述发光芯片底部具有芯片电极，所述发光芯片顶部和侧面设置有透明胶层，所述透明胶层顶部设置有荧光胶层，所述荧光胶层顶部设置有扩散层；所述透明胶层、荧光胶层、扩散层的两侧设置有白墙胶层。
2.根据权利要求1所述的芯片级LED封装结构，其特征在于，所述白墙胶层的截面形状为顶部窄、底部宽的直角梯形，直角梯形中的倾斜部贴合所述透明胶层、荧光胶层、扩散层设置，所述直角梯形的斜边与水平面的夹角为91-140°。
3.根据权利要求2所述的芯片级LED封装结构，其特征在于，所述白墙胶层的反射率不小于95％，材质为二氧化钛或硫酸钡。
4.根据权利要求3所述的芯片级LED封装结构，其特征在于，所述透明胶层为封装胶层，所述发光芯片顶部的透明胶层厚度为10-300μm，所述封装胶为硅胶、硅树脂、环氧树脂、聚氨酯中的一种。
5.根据权利要求4所述的芯片级LED封装结构，其特征在于，所述荧光胶层由稀土掺杂的无机荧光粉与封装胶混合制得，厚度为40-300μm。
6.根据权利要求5所述的芯片级LED封装结构，其特征在于，所述扩散层由扩散粉与封装胶混合制得，厚度为10-300μm。
7.根据权利要求6所述的芯片级LED封装结构，其特征在于，所述扩散粉为甲基硅烷、苯基硅烷、聚硅氧烷中的至少一种。
8.一种芯片级LED封装结构的封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：
a、固晶，将发光芯片通过固晶胶与耐高温材料固定；
b、按照荧光粉与封装胶的质量比0.1-1:1的比例配制荧光胶、按照扩散粉与封装胶质量比0.1-1:1的比例配制扩散层原料；
c、模压，在所述发光芯片顶面和侧面模压透明胶层，在所述透明胶层表面模压一层荧光胶，之后在所述荧光胶表面模压扩散层，最后在透明胶层、荧光胶层、扩散层相对的两个外侧模压白墙胶；
d、固化，烘烤由所述步骤c得到的半成品使所述透明封装胶、荧光胶、扩散层和白墙胶固化。
9.根据权利要求8所述的芯片级LED封装结构的封装工艺，其特征在于，所述步骤c中所述模压过程中的温度为80-150℃，模压压力为25-1200kgf/m2，模压时间为2-8min。
10.根据权利要求9所述的芯片级LED封装结构的封装工艺，其特征在于，所述步骤d中所述固化为烘烤固化，烘烤温度为70-160℃，烘烤时间为2-5h；所述耐高温材料为金属板、玻璃板或高温胶材，所述固晶胶为热解胶或UV胶。