一种新型铝基板的制作方法

本实用新型涉及铝基板技术领域，尤其涉及一种新型铝基板。

背景技术：

铝基板是一种具有良好散热功能的金属基复铜板，一般单面板由三层结构所组成，分别是电路层（铜箔）、绝缘层和金属基层。用于高端使用的也有设计为双面板，结构为电路层、绝缘层、铝基、绝缘层、电路层。极少数应用为多层板，可以由普通的多层板与绝缘层、铝基贴合而成。

铝基板常见于LED照明产品，目前市场上主流的是电子铝基板，相对应的铝基板导热系数是大家所关心的参数，导热系数越高就是代表性能越好的标志之一。现有技术中的铝基板大多都是由电路层、绝缘层和金属基层构成，由于绝缘层既要拥有较高的绝缘性又必须具备良好的导热性，其在选材方面和层厚度设置方面有着较高的要求，尤其是LED芯片产生大量的热量要快速的通过绝缘层和金属基层传递出去，这使得绝缘层和金属基层的厚度受到了一定的限制，有时不得不为了提高铝基板的散热性能而降低整个板材的厚度，牺牲了板材的强度，导致板材寿命的缩短；相反如果注重板材的质量，加大板材的厚度，必然会导致其散热效果降低，影响到了LED芯片的使用寿命，而且增加可材料的使用，提高了板材的制作成本。

为此，我们提出一种新型铝基板来解决上述问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种新型铝基板。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种新型铝基板，包括底基板和依次叠加在该底基板上的绝缘层及导电层，所述导电层上设有呈阵列式分布的圆形凹槽，所述圆形凹槽的截面呈上宽下窄的倒梯形结构，且圆形凹槽的底部穿过绝缘层和导电层延伸至底基板上，所述圆形凹槽的底部设有导热层，所述导热层的上侧设有反光板,所述圆形凹槽的槽壁上设有反光圈，且反光圈位于导热层的上方，所述反光圈内部嵌有对称设置的导电块，所述导电块一端与导电层连接，且导电块另一端与接线柱连接，所述接线柱位于反光板的上侧，所述底基板上设有与圆形凹槽对应设置的柱形槽，所述柱形槽的底部和槽壁上均覆盖有散热片。

优选的，所述绝缘层采用氧化铝陶瓷材料。

优选的，所述导热层采用导热硅脂。

优选的，所述散热片为铜镁合金制成的箔片。

与现有技术先比，本实用新型的有益效果为：通过在导电层上设置圆形凹槽，并将圆形凹槽的底部设置在底基板上，圆形凹槽内的LED芯片可通过导热层将热量传递给散热片，再将散热片设置底基板上的柱形槽中，避免完全依靠绝缘层传递热量，有效的提高散热片的散热速度，且无需在底基板的下侧另设散热器，减少了铝基板的厚度，便于进行安装和拆卸，同时在保证铝基板强度的情况下，减少金属材料的使用量，降低了成本。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种新型铝基板的结构示意图；

图2为图1中A处的局部放大后的俯视图；

图3为图1中A处的局部放大后的侧视图；

图4为图1中A处的局部放大后的仰视图。

图中：1底基板、2绝缘层、3导电层、4圆形凹槽、5导热层、6反光圈、7导电块、8接线柱、9柱形槽、10散热片、11反光板。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

参照图1-4，一种新型铝基板，包括底基板1和依次叠加在该底基板1上的绝缘层2及导电层3，绝缘层2采用氧化铝陶瓷材料，氧化铝陶瓷陶瓷材料本身不积蓄热量，且具有绝缘性强、导热率高的特性，在与传统的绝缘材料对比中，减少了绝缘层对于热效的影响，导电层3上设有呈阵列式分布的圆形凹槽4，圆形凹槽4用于防止LED芯片，圆形凹槽4的截面呈上宽下窄的倒梯形结构，且圆形凹槽4的底部穿过绝缘层2和导电层3延伸至底基板1上，圆形凹槽4的底部设有导热层5，导热层5采用导热胶采用导热硅脂，导热层5的上侧设有反光板11,圆形凹槽4的槽壁上设有反光圈6，且反光圈6位于导热层5的上方，，反光圈6和反光板11能有效的反射LED芯片发出的管线，反光圈6内部嵌有对称设置的导电块7，导电块7一端与导电层3连接，且导电块7另一端与接线柱8连接，导电层3、导电块7和接线柱8形成通路，为LED芯片供电，接线柱8位于反光板11的上侧，底基板1上设有与圆形凹槽4对应设置的柱形槽9，柱形槽9的底部和槽壁上均覆盖有散热片10，散热片10采用铜镁合金制成的箔片。

本实用新型中，通过在导电层3上设置圆形凹槽4，并将圆形凹槽4的底部设置在底基板1上，圆形凹槽4内的LED芯片可通过导热层将热量传递给散热片，并通过将散热片设置底基板上的柱形槽9中，来提高散热片的散热速度。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。