一种带ITO薄膜结构的LED芯片的制作方法

本实用新型涉及半导体发光二极管领域，尤其是涉及一种带ITO薄膜结构的LED芯片。

背景技术：

具有高光效、低能耗、长寿命、高安全性、高环保等优势，是一种有广阔应用前景的照明方式，受到越来越多国家的重视。目前LED已广泛应用于高效固态照明领域中，如显示屏、汽车用灯、背光源、交通信号灯、景观照明等。

如图1所示，常规AlGaInP发光二极管包含GaAs衬底100、缓冲层101、n-AIGaInP限制层102、MQW多量子阱有源层103、p-AIGaInP限制层104和p-GaP窗口层105，金属电极层106直接设置在p-GaP窗口层105上，GaAs衬底100背面设置有背电极层201。由于常规AlGaInP发光二极管的出光层为P-GaP层105，同时GaP层也起着欧姆接触层和电流扩展的重要作用，这就会使电流容易集中从与电极接触的正下方区域流过，即电极正下方区域的电流密度增加，却不能使电流得到充分的扩展，从而降低了LED的发光效率。ITO（掺锡氧化铟，IndiumTinOxide，一般简称为ITO）薄膜相比GaP层具有良好的横向电流扩展性，同时具有透过率高、导电性好、耐磨损、耐腐蚀等优点，且与GaP层的粘附性好，因此，ITO薄膜通常被用于作为提高AlGaInP基芯片亮度的透明电极材料。在实际应用中，先是在GaP层上面生长一层ITO薄膜层，然后再沉积作为焊盘材料使用的金属电极层，但在对焊盘的焊线测试中发现，很容易出现ITO薄膜层脱落、金属电极层脱落的异常现象，这会导致金属电极层的焊盘性能、AlGaInP基芯片的使用可靠性受到严重影响。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种焊线可靠性高、便于生产、发光效率高的带ITO薄膜结构的LED芯片。

本实用新型的目的是这样实现的：

一种带ITO薄膜结构的LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有缓冲层、n-AIGaInP限制层、多量子阱（MQW）有源层、p-AIGaInP限制层和p-GaP窗口层，在p-GaP窗口层上设有ITO薄膜层，在GaAs衬底的下面制作背电极，特征是：在ITO薄膜层上设有金属电极层；金属电极层包括主电极和扩展电极，主电极连接在p-GaP窗口层上，扩展电极连接在ITO薄膜层上。

主电极为圆形，直径90μm，扩展电极为矩形，长度为20μm，宽度为10μm，材料为Cr/Au，厚度50/2500nm。

本实用新型的由于作为焊盘的主电极直接连接在p-GaP窗口层上，从而避免了在焊线测试时造成ITO薄膜层脱落，并且由于扩展电极连接在ITO薄膜层上，这样既起到了降低接触电压的作用，同时又对主电极起到了防护作用，提高了整个金属电极层的附着性和完整性，确保了产品的工作电压稳定，提高了产品的焊线可靠性。

附图说明

图1为现有的常规AlGaInP发光二极管的结构示意图；

图2为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例并对照附图对本实用新型作进一步详细说明。

一种带ITO薄膜结构的LED芯片，包括GaAs衬底100，在GaAs衬底100的上面依次设有缓冲层101、n-AIGaInP限制层102、多量子阱有源层103、p-AIGaInP限制层104和p-GaP窗口层105，在p-GaP窗口层105上设有ITO薄膜层106，在ITO薄膜层106上设有金属电极层107，在GaAs衬底100的下面制作背电极201。

金属电极层107包括主电极和扩展电极，主电极连接在p-GaP窗口层105上，扩展电极连接在ITO薄膜层106上。