技术总结
本实用新型公开了一种带ITO薄膜结构的LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有缓冲层、n‑AIGaInP限制层、多量子阱（MQW）有源层、p‑AIGaInP限制层和p‑GaP窗口层，在p‑GaP窗口层上设有ITO薄膜层，在GaAs衬底的下面制作背电极，其特征在于：在ITO薄膜层上设有金属电极层；金属电极层包括主电极和扩展电极，主电极连接在p‑GaP窗口层上，扩展电极连接在ITO薄膜层上。本实用新型提高了整个金属电极层的附着性，确保发光器件工作电压稳定，提高产品的焊线可靠性，极大地提升了产品的质量和良率。
技术研发人员：张银桥;潘彬
受保护的技术使用者：南昌凯迅光电有限公司
文档号码：201620569290
技术研发日：2016.06.13
技术公布日：2016.12.07