1.一种带ITO薄膜结构的LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有缓冲层、n-AIGaInP限制层、多量子阱有源层、p-AIGaInP限制层和p-GaP窗口层，在p-GaP窗口层上设有ITO薄膜层，在GaAs衬底的下面制作背电极，其特征在于：在ITO薄膜层上设有金属电极层；金属电极层包括主电极和扩展电极，主电极连接在p-GaP窗口层上，扩展电极连接在ITO薄膜层上。
2.根据权利要求1所述的带ITO薄膜结构的LED芯片，其特征在于：主电极为圆形，直径90μm，扩展电极为矩形，长度为20μm，宽度为10μm，材料为Cr/Au，厚度50/2500nm。