1.一种具有叠层异质结结构的钝化发射极太阳电池，其特征是：包括硅衬底（1），在硅衬底（1）的正面由内到外依次包括扩散层（2）、掺杂非晶硅薄膜层（3）、透明导电薄膜层（4）和正电极（5）；在硅衬底（1）的背面由内到外依次包括缓冲钝化层（6）、掺杂非晶硅薄膜层（7）、透明导电薄膜层（8）和背电极（9）：
所述位于硅衬底正面的扩散层（2）与掺杂非晶硅薄膜层（3）具有与硅衬底相反的导电类型，同时具有高、低梯度掺杂的特征，共同形成正面发射极；位于硅衬底正面的透明导电薄膜层（4）起到载流子的收集以及发射极的钝化作用；位于硅衬底背面的缓冲钝化层（6）起到背面钝化的作用，同时采用与衬底导电类型相同的掺杂非晶硅薄膜层（7）作为背面场，其上沉积透明导电薄膜层（8）作为背面载流子收集层；最后在正面透明导电薄膜层（4）、背面透明导电薄膜层（8）上分别形成正电极（5）和背电极（9）。
2.如权利要求1所述的一种具有叠层异质结结构的钝化发射极太阳电池，其特征是：所述正面发射极同时具有同质结、异质结结构；所述背面场采用异质结结构。
3.如权利要求1所述的一种具有叠层异质结结构的钝化发射极太阳电池，其特征在于：所述扩散层（2）采用高温扩散工艺形成与硅衬底导电类型相反的半导体介质层，作为底层发射极。
4.如权利要求1所述的一种具有叠层异质结结构的钝化发射极太阳电池，其特征在于：所述掺杂非晶硅薄膜层可采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）或者热丝化学气相沉积技术（HWCVD）制备。
5.如权利要求1所述的一种具有叠层异质结结构的钝化发射极太阳电池，其特征在于：所述的缓冲钝化层（6）可以是超薄氧化硅（SiO2）、本征非晶硅（a-Si）薄膜或者多层钝化膜的叠层结构。