1.一种TDDB测试结构，其特征在于，包括：
衬底；
多个有源区，形成于所述衬底上；
浅沟槽隔离区，位于所述有源区两侧，适于将相邻两个所述有源区隔离；
多晶硅条，相互平行且呈指状分布，所述多晶硅条沉积于所述有源区和/或所述浅沟槽隔离区上；
第一金属线层，位于所述多晶硅条上方，且与所述多晶硅条电连接；
层间介质层，填充于所述多晶硅条与所述第一金属线层之间，适于隔离所述多晶硅条与所述第一金属线层。
2.根据权利要求1所述的TDDB测试结构，其特征在于，所述多晶硅条沉积于所述有源区和/或所述浅沟槽隔离区上，包括以下五个部分：
第一部分，所述多晶硅条沉积于所述浅沟槽隔离区，且不覆盖所述浅沟槽隔离区的边缘；
第二部分，所述多晶硅条沉积于所述浅沟槽隔离区，且靠近所述浅沟槽隔离区边缘的所述多晶硅条的边缘与所述浅沟槽隔离区的边缘相重合；
第三部分，所述多晶硅条的一部分沉积于所述浅沟槽隔离区，另一部分沉积于所述有源区，且所述多晶硅条覆盖所述浅沟槽隔离区的边缘；
第四部分，所述多晶硅条沉积于所述有源区，且靠近所述浅沟槽隔离区边缘的所述多晶硅条的边缘与所述浅沟槽隔离区的边缘相重合；
第五部分，所述多晶硅条沉积于所述有源区，且不覆盖所述浅沟槽隔离区的边缘。
3.根据权利要求2所述的TDDB测试结构，其特征在于，在所述第二部分中，所述多晶硅条沉积于大块的所述浅沟槽隔离区的中部位置，所述多晶硅条外周的所述浅沟槽隔离区内嵌有四个小块有源区，所述小块有源区为矩形结构，四个所述小块有源区分别间隔位于所述多晶硅条底面四条边的端部，且靠近所述多晶硅条底面四条边的所述小块有源区边缘与所述多晶硅条底面四条边相重合，靠近所述多晶硅条底面四条边延长线的所述小块有源区的边缘与所述多晶硅条底面四条边的延长线相重合。
4.根据权利要求2所述的TDDB测试结构，其特征在于，在所述第三部分中，包括所述有源区与所述浅沟槽隔离区依次沿着所述多晶硅条长度方向上和宽度方向上设置的两种结构。
5.根据权利要求2所述的TDDB测试结构，其特征在于，在所述第四部分中，所述多晶硅条沉积于大块的所述有源区的中部位置，所述多晶硅条外周的所述有源区内嵌有四个小块浅沟槽隔离区，所述小块浅沟槽隔离区为矩形结构，四个所述小块浅沟槽隔离区分别间隔位于所述多晶硅条底面四条边的端部，且靠近所述多晶硅条底面四条边的所述小块浅沟槽隔离区边缘与所述多晶硅条底面四条边相重合，靠近所述多晶硅条底面四条边延长线的所述小块浅沟槽隔离区的边缘与所述多晶硅条底面四条边的延长线相重合。
6.根据权利要求2所述的TDDB测试结构，其特征在于，所述第一部分和所述第五部分的所述多晶硅条均至少设置两条，所述第二部分、所述第三部分和所述第四部分的所述多晶硅条均设置有两条。
7.根据权利要求1-6任一项所述的TDDB测试结构，其特征在于，所述多晶硅条与所述第一金属线层之间设有金属插塞，所述金属插塞适于电连接所述多晶硅条与所述第一金属线层。
8.根据权利要求7所述的TDDB测试结构，其特征在于，所述第一金属线层通过测试金属互连线电连接，并通过所述测试金属互连线引出所述TDDB测试结构外。
9.根据权利要求1所述的TDDB测试结构，其特征在于，还包括形成于所述有源区上的栅氧化层，所述多晶硅条沉积于所述栅氧化层上。
10.根据权利要求1所述的TDDB测试结构，其特征在于，所述衬底为P型衬底或N型衬底。