技术总结
本实用新型提供一种TDDB测试结构，包括：衬底；多个有源区，形成于衬底上；浅沟槽隔离区，位于有源区两侧，适于将相邻两个有源区隔离；多晶硅条，相互平行且呈指状分布，多晶硅条沉积于有源区和/或浅沟槽隔离区上；第一金属线层，位于多晶硅条上方，且与多晶硅条电连接；层间介质层，填充于多晶硅条与第一金属线层之间，适于隔离多晶硅条与第一金属线层。该TDDB测试结构包括了多晶硅条与浅沟槽隔离区、有源区之间各种位置关系的结构，真实反映芯片层间介质层的厚度和平坦性，提高测试结果的合理性和准确性，且可以避免一定方向上的对准偏移问题。
技术研发人员：王锴;杨丽娟
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201621192272
技术研发日：2016.11.03
技术公布日：2017.04.26