1.一种光电二极管器件，包括：
第一类型轻掺杂的半导体基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；
设于半导体基板的第一表面上的第一类型重掺杂的第一电极区域；以及
设于半导体基板的第二表面上的第二类型重掺杂的第二电极区域，
其中，第一表面为光入射面。
2.根据权利要求1所述的光电二极管器件，还包括：与第二电极区域相连接且从第二电极区域向第一表面伸出的伸出结构，其中，所述伸出结构被第二类型重掺杂。
3.根据权利要求2所述的光电二极管器件，其中，所述伸出结构包括：嵌入于在第二表面处形成且从第二表面向第一表面延伸的沟槽中的半导体材料。
4.根据权利要求3所述的光电二极管器件，其中，所述沟槽的侧壁包括第二类型重掺杂的离子注入区。
5.根据权利要求3所述的光电二极管器件，其中，所述沟槽延伸至第一电极区域处，嵌入于该沟槽中的半导体材料占据该沟槽的一部分深度，且该沟槽在第一表面一侧的端部还填充有光反射材料。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的光电二极管器件，其中，所述伸出结构基本上垂直于第二电极区域。
7.根据权利要求2-5中任一项所述的光电二极管器件，其中，所述伸出结构至少部分地围绕第二电极区域的周边形成。
8.根据权利要求7所述的光电二极管器件，其中，所述伸出结构包括沿第二电极区域的周边形成的环状围栏结构，或者包括沿第二电极区域的周边对向设置的一对伸出结构。
9.根据权利要求8所述的光电二极管器件，还包括：在第二电极区域的周边内侧形成的一个或多个另外的伸出结构。
10.根据权利要求9所述的光电二极管器件，其中，所述另外的伸出结构形成为至少部分地围绕第二电极区域的一部分。
11.根据权利要求9所述的光电二极管器件，其中，所述伸出结构与所述另外的伸出结构一起形成格栅状。
12.根据权利要求9-11中任一项所述的光电二极管器件，其中，所述伸出结构与所述另外的伸出结构具有基本上相同的延伸长度。
13.根据权利要求9-11中任一项所述的光电二极管器件，其中，所述伸出结构的延伸长度大于所述另外的伸出结构的延伸长度。
14.根据权利要求2-5中任一项所述的光电二极管器件，其中，所述伸出结构包括在第二电极区域处形成的柱状结构。
15.根据权利要求14所述的光电二极管器件，其中，所述柱状结构设于第二电极区域的大致中心位置处。
16.根据权利要求15所述的光电二极管器件，其中，沿第二电极区域的周边设置有多个所述柱状结构。
17.根据权利要求16所述的光电二极管器件，其中，沿第二电极区域的周边设置的所述多个柱状结构中的至少一部分柱状结构沿着第二电极区域的周边延伸一定的范围。
18.根据权利要求17所述的光电二极管器件，其中，沿第二电极区域的周边设置的所述多个柱状结构彼此连接，从而构成绕第二电极区域的周边的围栏结构。
19.根据权利要求1所述的光电二极管器件，还包括：至少部分地环绕第二电极区域的周边形成且从第二电极区域向着第一表面伸出的光反射结构。
20.一种光电二极管探测器，包括：
阵列，包括多个根据权利要求1-19中任一项所述的光电二极管器件。
21.根据权利要求20所述的光电二极管探测器，其中，各光电二极管器件的第一电极区域彼此连接在一起，而各光电二极管器件的第二电极区域彼此分离。
22.根据权利要求20或21所述的光电二极管探测器，还包括：设置于相邻光电二极管器件的第二电极区域之间的像素间隔离部，所述隔离部是第一类型重掺杂的。
23.根据根据权利要求20或21所述的光电二极管探测器，还包括：设置于阵列外周的隔离部，所述隔离部是第一类型重掺杂的。
24.根据权利要求23所述的光电二极管探测器，其中，隔离部与第二电极区域基本上等深，或者相对于第二电极区域向第一表面伸出。
25.根据权利要求24所述的光电二极管探测器，其中，隔离部与伸出结构基本上等深。