光电二极管器件及光电二极管探测器的制作方法

技术总结
公开了光电二极管器件及光电二极管探测器。根据实施例，一种光电二极管器件可以包括：第一类型轻掺杂的半导体基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；设于半导体基板的第一表面上的第一类型重掺杂的第一电极区域；以及设于半导体基板的第二表面上的第二类型重掺杂的第二电极区域，其中，第一表面为光入射面。

技术研发人员：张岚;胡海帆;曹雪朋;李军
受保护的技术使用者：同方威视技术股份有限公司
文档号码：201621340715
技术研发日：2016.12.07
技术公布日：2017.08.15